Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4", ранг теста
 
Полу-изолирующ, субстрат фосфида индия, 4", ранг теста

ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли фосфида индия одиночного кристалла особой чистоты для применений оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 200 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.

Оптически воспринимая применение

Спектроскопические воспринимая направляя охрана окружающей среды и идентификация опасных веществ
• Растущее поле воспринимает основало на режиме длины волны ИнП. Один пример для спектроскопии газа испытательное оборудование привода с измерением в реальном времени (КО, СО2, НОС [или НИКАКОЙ + НО2]).
• Быстрая проверка трассировок ядовитых веществ в газах и жидкостях (включая вода из крана) или загрязнений поверхности вниз к уровню ппб.
• Спектроскопия для управления без разрушения продукта например еды (раннее выявление избалованного продтовара)
• Спектроскопия для много романных применений, особенно в контроле за загрязнением воздуха обсуждается сегодня и вставки на пути.

	Подвижность Халл электрона против температуры для различный давать допинг выравнивает. Нижняя кривая - но=Нд-На=8·1017 км-3; Средняя кривая - но=2·1015 км-3; Верхняя кривая - но=3·1013 км-3. (Разегхи и др. [1988]) и (  Валукиевич   и др. [1980]).
	Подвижность Халл электрона против температуры (высоких температур): Нижняя кривая - но=Нд-На~3·1017 км-3; Средняя кривая - но~1.5·1016 км-3; Верхняя кривая - но~3·1015 км-3. (Галаванов и Сюкаэв [1970]).

Для слабо данного допинг н-ИнП на температурах близко к подвижности дрейфа электронов 300 к:

µн = (4.2÷5.4)·103·(300/Т) (км2В-1 с-1)

	Подвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации. θ = На/Нд, К. 77. Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; (    Валукиевич и др. [1980]). Сплошная линия значения середины наблюдаемые (    Андерсона и др. [1985]).
	Подвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации θ =На/Нд, К. 300. Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; (    Валукиевич и др. [1980]). Сплошная линия значения середины наблюдаемые (    Андерсона и др. [1985]).

Приблизительная формула для подвижности Халл электрона

Μ=ΜОХ/[1+ (Нд/107) 1/2],
где ΜОХ=5000 км2В-1 с-1,
Нд в км-3 (Хильсум [1974])
На 300 к, фактор рн≈1 Халл электрона в н-ИнП.
для Нд > 1015 км-3.

Продырявьте подвижность Халл против температуры для различных давая допинг уровней (Зн). Концентрация отверстия на 300 к: 1. 1,75·1018 км-3; 2. 3,6·1017 км-3; 3. 4,4·1016 км-3. θ=На/Нд~0.1. (    Коханюк и др. [1988]).

Для слабо данного допинг п-ИнП на температуре близко к 300 к подвижность Халл

µпХ~150·(300/Т) 2,2 (км2В-1 с-1).

Подвижность Халл отверстия против плотности дырки, 300 к (Вилей [1975]). Приблизительная формула для подвижности Халл отверстия: µп=µпо/[1 + (На/2·1017) 1/2], где µпо~150 км2В-1 с-1, на в км-3

На 300 к, фактор отверстия в чистом п-ИнП: рп~1

Вы ищете вафля ИнП?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнП, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!