Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Название продукта: | вафля фосфида индия одиночного кристалла | Вафля Дямтер: | 4 дюйма |
---|---|---|---|
Тип кондукции: | Семи изолирующ | Класс: | Ранг теста |
Ключевое слово: | вафля иньп | Применение: | 600±25ум |
ТТВ: | <15um> | смычок: | <15um> |
Высокий свет: | test grade wafer,epi ready wafer |
Полу-изолирующ, Фе-данный допинг субстрат фосфида индия, 4", ранг теста
Полу-изолирующ, субстрат фосфида индия, 4", ранг теста
4" спецификация вафли ИнП | ||||
Деталь | Спецификации | |||
Тип кондукции | СИ типа | |||
Допант | Утюг | |||
Диаметр вафли | 4" | |||
Ориентация вафли | 100±0.5° | |||
Толщина вафли | 600±25ум | |||
Основная плоская длина | 16±2мм | |||
Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
Концентрация несущей | ≤3кс1016км-3 | (0.8-6) кс1018км-3 | (0.6-6) кс1018км-3 | Н/А |
Подвижность | (3.5-4) кс103км2/В.с | (1.5-3.5) кс103км2/В.с | 50-70км2/В.с | >1000км2/В.с |
Резистивность | Н/А | Н/А | Н/А | >0.5кс107Ω.км |
ЭПД | <1000cm>-2 | <1x10>3км-2 | <1x10>3км-2 | <5x10>3км-2 |
ТТВ | <15um> | |||
СМЫЧОК | <15um> | |||
ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | |||
Маркировка лазера | по требованию | |||
Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
Эпи готовое | да | |||
Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли |
ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли фосфида индия одиночного кристалла особой чистоты для применений оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 200 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.
Спектроскопические воспринимая направляя охрана окружающей среды и идентификация опасных веществ
• Растущее поле воспринимает основало на режиме длины волны ИнП. Один пример для спектроскопии газа испытательное оборудование привода с измерением в реальном времени (КО, СО2, НОС [или НИКАКОЙ + НО2]).
• Быстрая проверка трассировок ядовитых веществ в газах и жидкостях (включая вода из крана) или загрязнений поверхности вниз к уровню ппб.
• Спектроскопия для управления без разрушения продукта например еды (раннее выявление избалованного продтовара)
• Спектроскопия для много романных применений, особенно в контроле за загрязнением воздуха обсуждается сегодня и вставки на пути.
![]() |
Подвижность Халл электрона против температуры для различный давать допинг выравнивает. Нижняя кривая - но=Нд-На=8·1017 км-3; Средняя кривая - но=2·1015 км-3; Верхняя кривая - но=3·1013 км-3. (Разегхи и др. [1988]) и ( Валукиевич и др. [1980]). |
![]() |
Подвижность Халл электрона против температуры (высоких температур): Нижняя кривая - но=Нд-На~3·1017 км-3; Средняя кривая - но~1.5·1016 км-3; Верхняя кривая - но~3·1015 км-3. (Галаванов и Сюкаэв [1970]). |
µн = (4.2÷5.4)·103·(300/Т) (км2В-1 с-1)
![]() |
Подвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации. θ = На/Нд, К. 77. Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; ( Валукиевич и др. [1980]). Сплошная линия значения середины наблюдаемые ( Андерсона и др. [1985]). |
![]() |
Подвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации θ =На/Нд, К. 300. Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; ( Валукиевич и др. [1980]). Сплошная линия значения середины наблюдаемые ( Андерсона и др. [1985]). |
Μ=ΜОХ/[1+ (Нд/107) 1/2],
где ΜОХ=5000 км2В-1 с-1,
Нд в км-3 (Хильсум [1974])
На 300 к, фактор рн≈1 Халл электрона в н-ИнП.
для Нд > 1015 км-3.
![]() |
Продырявьте подвижность Халл против температуры для различных давая допинг уровней (Зн). Концентрация отверстия на 300 к: 1. 1,75·1018 км-3; 2. 3,6·1017 км-3; 3. 4,4·1016 км-3. θ=На/Нд~0.1. ( Коханюк и др. [1988]). |
µпХ~150·(300/Т) 2,2 (км2В-1 с-1).
![]() |
Подвижность Халл отверстия против плотности дырки, 300 к (Вилей [1975]). Приблизительная формула для подвижности Халл отверстия: µп=µпо/[1 + (На/2·1017) 1/2], где µпо~150 км2В-1 с-1, на в км-3 |
На 300 к, фактор отверстия в чистом п-ИнП: рп~1
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнП, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный