Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Название продукта: | Вафля ИнП фосфида индия | Вафля Дямтер: | 4 дюйма |
---|---|---|---|
Тип кондукции: | Тип п | Класс: | Основная ранг |
Толщина вафли: | 350±25ум | Основная плоская длина: | 16±2мм |
Вторичная плоская длина: | 8±1мм | Ключевое слово: | вафли фосфида индия одиночного кристалла |
Высокий свет: | inp wafer,test grade wafer |
П печатает, вафля фосфида индия одиночного Кристл особой чистоты, 4", основная ранг
Что вафля ИнП?
Фосфид индия семикондуктинг материальные подобные ГаАс и кремнию но много нишевый продукт. Он очень эффективен на начинать очень высокоскоростную обработку и дороже чем ГаАс из-за больших длин собрать и начать ингредиенты. Позвольте нам взглянуть на еще некоторые фактов о фосфиде индия по мере того как он пертайнс к вафле ИнП.
П печатает, вафля фосфида индия, 4", основная ранг
4" спецификация вафли ИнП | ||||
Деталь | Спецификации | |||
Тип кондукции | П типа | |||
Допант | Цинк | |||
Диаметр вафли | 4" | |||
Ориентация вафли | 100±0.5° | |||
Толщина вафли | 600±25ум | |||
Основная плоская длина | 16±2мм | |||
Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
Концентрация несущей | ≤3кс1016км-3 | (0.8-6) кс1018км-3 | (0.6-6) кс1018км-3 | Н/А |
Подвижность | (3.5-4) кс103км2/В.с | (1.5-3.5) кс103км2/В.с | 50-70км2/В.с | >1000км2/В.с |
Резистивность | Н/А | Н/А | Н/А | >0.5кс107Ω.км |
ЭПД | <1000cm>-2 | <1x10>3км-2 | <1x10>3км-2 | <5x10>3км-2 |
ТТВ | <15um> | |||
СМЫЧОК | <15um> | |||
ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | |||
Маркировка лазера | по требованию | |||
Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
Эпи готовое | да | |||
Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли |
Свойства перехода в сильных электрических полях
![]() |
Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов в ИнП, К. 300. Твердая кривая теоретический расчет. Брошенный и точечная пунктирная кривая измеренные данные. (Малоней и Фрей [1977]) и ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). |
![]() |
Зависимость поля скорости дрейфа электронов для сильных электрических полей. Т (К): 1. 95; 2. 300; 3. 400. ( Виндхорн и др. [1983]). |
![]() |
Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах. Изогните 1 -77 к ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). Кривая 2 до 300 к, изогните 3 - 500 к (Фавсетт и Холм [1975]). |
![]() |
Электронная температура против электрического поля для К. 77 к и 300. (Малоней и Фрей [1977]) |
![]() |
Часть электронов в долинах нЛ/но и нС/но л и кс как функция электрического поля, К. 300. (Бородовскии и Осадчии [1987]). |
![]() |
Зависимость частоты η эффективности вначале (сплошная линия) и на второй (гармонике брошенной линии) в режиме ЛСА. Симуляция Монте-Карло. Ф = Фо + Ф1·грех (2π·фт) + Ф2·[грех (4π·фт) +3π/2], См-1 Фо=Ф1=35 кВ, См-1 Ф2=10.5 кВ (Бородовскии и Осадчии [1987]). |
![]() |
Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на К. 300. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
![]() |
Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на 77К. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
ИнП основал лазеры и СИД может испустить свет в очень широком ряде 1200 нм до µм 12. Этот свет использован для основанных волокном применений телекоммуникаций и Датаком во всех зонах дигитализированного мира. Свет также использован для воспринимать применения. На одной руке спектроскопические применения, где некоторая длина волны необходима для того чтобы взаимодействовать с делом для того чтобы обнаружить сильно разбавленные газы например. Электронно-оптическое терахэртц использовано в ультра-чувствительных спектроскопических анализаторах, измерениях толщины полимеров и для обнаружения разнослоистых покрытий в автомобильной промышленности. С другой стороны огромное преимущество специфических лазеров ИнП потому что они сейф глаза. Радиация поглощена в стекловатом теле человеческого глаза и не может повредить сетчатке. Лазеры ИнП в ЛиДАР (светлое обнаружение и выстраивать в ряд) будут ключевым компонентом для подвижности будущего и индустрии автоматизации.
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнП, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!
О нас
Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.
Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный