Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста - производство вафли ИнП
 
Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста

Факты фосфида индия

• Молекулярный вес: 145,792 г/мол
• Точка плавления: °К 1062 (°Ф 1943,6)
• Его можно использовать для виртуально любого электронного устройства которое требует быстрого хода или наивысшей мощности.
• Оно имеет один из длинн-живых оптически фононов сколько угодно смеси с кристаллической структурой зинкбленде.
• ИнП самый важный материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме.
• Фосфид индия (InP) включает фосфор и индий и бинарный полупроводник.
• Он имеет кристаллическую структуру зинкбленде подобную ГаАс и почти всем полупроводникам ИИИ-В.

	Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов в ИнП, К. 300. Твердая кривая теоретический расчет. Брошенный и точечная пунктирная кривая измеренные данные. (Малоней и Фрей [1977]) и (  Гонцалез Санчез и др. [1992]).
	Зависимость поля скорости дрейфа электронов для сильных электрических полей. Т (К): 1. 95; 2. 300; 3. 400. (    Виндхорн и др. [1983]).
	Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах. Изогните 1 -77 к (    Гонцалез Санчез и др. [1992]). Кривая 2 до 300 к, изогните 3 - 500 к (Фавсетт и Холм [1975]).
	Электронная температура против электрического поля для К. 77 к и 300. (Малоней и Фрей [1977])
	Часть электронов в долинах нЛ/но и нС/но л и кс как функция электрического поля, К. 300. (Бородовскии и Осадчии [1987]).
	Зависимость частоты η эффективности вначале (сплошная линия) и на второй (гармонике брошенной линии) в режиме ЛСА. Симуляция Монте-Карло. Ф = Фо + Ф1·грех (2π·фт) + Ф2·[грех (4π·фт) +3π/2], См-1 Фо=Ф1=35 кВ, См-1 Ф2=10.5 кВ (Бородовскии и Осадчии [1987]).
	Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на К. 300. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]).
	Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на 77К. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]).

Применения являются следующими:

• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г
• Спутниковая связь открытого космоса
• Соединения стекловолокна долгого пути над большим расстоянием до 5000 км типично >10 Тбит/с
• Сети доступа кольца метро

Применение телекоммуникаций/Датаком

Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550 длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и 1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне (около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в ряд от 2-4 дюймов.

Обслуживание

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.