Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Ключевое слово: | Вафля фосфида индия ИнП | Название продукта: | П печатает вафлю ИнП |
---|---|---|---|
Тип кондукции: | Тип п | Вафля Дямтер: | 4" |
Толщина вафли: | 350±25ум | Класс: | Ранг теста |
Основная плоская длина: | 16±2мм | warp: | <15um> |
Высокий свет: | inp wafer,epi ready wafer |
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста - производство вафли ИнП
Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста
4" спецификация вафли ИнП | ||||
Деталь | Спецификации | |||
Тип кондукции | П типа | |||
Допант | Цинк | |||
Диаметр вафли | 4" | |||
Ориентация вафли | 100±0.5° | |||
Толщина вафли | 600±25ум | |||
Основная плоская длина | 16±2мм | |||
Вторичная плоская длина | 8±1мм | |||
Концентрация несущей | ≤3кс1016км-3 | (0.8-6) кс1018км-3 | (0.6-6) кс1018км-3 | Н/А |
Подвижность | (3.5-4) кс103км2/В.с | (1.5-3.5) кс103км2/В.с | 50-70км2/В.с | >1000км2/В.с |
Резистивность | Н/А | Н/А | Н/А | >0.5кс107Ω.км |
ЭПД | <1000cm>-2 | <1x10>3км-2 | <1x10>3км-2 | <5x10>3км-2 |
ТТВ | <15um> | |||
СМЫЧОК | <15um> | |||
ИСКРИВЛЕНИЕ | <15um> | |||
Маркировка лазера | по требованию | |||
Финиш Суфасе | П/Э, П/П | |||
Эпи готовое | да | |||
Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли |
Факты фосфида индия
![]() |
Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов в ИнП, К. 300. Твердая кривая теоретический расчет. Брошенный и точечная пунктирная кривая измеренные данные. (Малоней и Фрей [1977]) и ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). |
![]() |
Зависимость поля скорости дрейфа электронов для сильных электрических полей. Т (К): 1. 95; 2. 300; 3. 400. ( Виндхорн и др. [1983]). |
![]() |
Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах. Изогните 1 -77 к ( Гонцалез Санчез и др. [1992]). Кривая 2 до 300 к, изогните 3 - 500 к (Фавсетт и Холм [1975]). |
![]() |
Электронная температура против электрического поля для К. 77 к и 300. (Малоней и Фрей [1977]) |
![]() |
Часть электронов в долинах нЛ/но и нС/но л и кс как функция электрического поля, К. 300. (Бородовскии и Осадчии [1987]). |
![]() |
Зависимость частоты η эффективности вначале (сплошная линия) и на второй (гармонике брошенной линии) в режиме ЛСА. Симуляция Монте-Карло. Ф = Фо + Ф1·грех (2π·фт) + Ф2·[грех (4π·фт) +3π/2], См-1 Фо=Ф1=35 кВ, См-1 Ф2=10.5 кВ (Бородовскии и Осадчии [1987]). |
![]() |
Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на К. 300. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
![]() |
Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на 77К. Симуляция Монте-Карло ансамбля. (Айшима и Фукусима [1983]). |
Применения являются следующими:
• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г
• Спутниковая связь открытого космоса
• Соединения стекловолокна долгого пути над большим расстоянием до 5000 км типично >10 Тбит/с
• Сети доступа кольца метро
Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550 длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и 1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне (около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в ряд от 2-4 дюймов.
Обслуживание
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный