 |
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
| Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
|---|---|
| Цена: | By Case |
| Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
| Метод роста: | ВГФ | Вафля Дямтер: | 2, 3,4 & 6 |
|---|---|---|---|
| Толщина: | 200~550 | Допант: | Галлий или сурьма |
| О: | ЭДЖ или США | Тип кондукции: | н типа, тип п, ундопед |
| Электронная ранг: | Использованный для диодов и транзисторов | лазерная маркировка: | на запросе |
| Высокий свет: | semiconductor silicon wafer,germanium wafer |
||
Вафля германия одиночного кристалла (Ге)
Материалы полупроводника ПАМ-СИАМЭНофферс, кристаллы и вафли Ге, который (германия) одиночные выросло ВГФ/ЛЭК
Применение:
Пробел или окно германия использованы в ночном видении и термографик решениях воображения для коммерчески контрольного оборудования безопасностью, противопожарным и промышленными. Также, они использованы как фильтры для аналитического и измерительного оборудования, окон для удаленного измерения температуры, и зеркал для лазеров.
Тонкие субстраты германия использованы в фотоэлементах тройн-соединения ИИИ-В и для сконцентрированных силой систем ПВ (КПВ).
Общие свойства вафли германия
| Общая структура свойств | Кубический, а = 5,6754 Å | ||
| Плотность: 5,765 г/км3 | |||
| Точка плавления: 937,4 оК | |||
| Термальная проводимость: 640 | |||
| Технология выращивания кристаллов | Кзокральски | ||
| Давать допинг доступный | Ундопед | Давать допинг Сб | Давать допинг внутри или Га |
| Проводной тип | / | Н | П |
| Резистивность, охм.км | >35 | < 0=""> | 0,05 до 0,1 |
| ЭПД | < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> |
| < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> | |
Ранги и применение вафли германия
| Электронная ранг | Использованный для диодов и транзисторов, |
| Ультракрасная или опитикал ранг | Использованный для окна или дисков инфракрасн оптически, опитикал компоненты |
| Ранг клетки | Использованный для субстратов фотоэлемента |
Стандартные спецификации германия Кристл и вафли
| Ориентировка кристаллов | <111>, <100> и <110> ± 0.5о или изготовленная на заказ ориентация | |||
| Кристаллический боуле как выросли | 1 ″ | диаметр кс 6 ″ длина 200 мм | |||
| Стандартный пробел как отрезано | 1 ″ кс 0.5мм | 2 ″ кс0.6мм | 4 ″ кс0.7мм | 5 ″ кс0.8мм ″ &6 |
| Стандартная отполированная вафля (одно/2 отполированной стороны) | 1 ″ кс 0,30 мм | 2 ″ кс0.5мм | 4 ″ кс0.5мм | 5 ″ кс0.6мм ″ &6 |
Особенные размер и ориентация доступны на спрошенных вафлях
Спецификация вафли германия
| Деталь | Спецификации | Примечания |
| Метод роста | ВГФ | |
| Тип кондукции | н типа, тип п, ундопед | |
| Допант | Галлий или сурьма | |
| Вафля Дямтер | 2, 3,4 & 6 | дюйм |
| Ориентировка кристаллов | (100), (111), (110) | |
| Толщина | 200~550 | ум |
| ЭДЖ или США | ||
| Концентрация несущей | запрос на клиентах | |
| Резистивность на РТ | (0.001~80) | Охм.км |
| Плотность ямы травления | <5000> | /cm2 |
| Маркировка лазера | по требованию | |
| Поверхностный финиш | П/Э или П/П | |
| Эпи готовое | Да | |
| Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли |
| спецификация вафли 4 Ге дюйма | для фотоэлементов | |
| Давать допинг | П | |
| Давать допинг веществам | Ге-Га | |
| Диаметр | 100±0.25 мм | |
| Ориентация | (100) 9° к <111>+/--0,5 | |
| угол наклона -ориентации | Н/А | |
| Основная плоская ориентация | Н/А | |
| Основная плоская длина | 32±1 | мм |
| Вторичная плоская ориентация | Н/А | |
| Вторичная плоская длина | Н/А | мм |
| кк | (0.26-2.24) Э18 | /c.c |
| Резистивность | (0.74-2.81) Э-2 | охм.км |
| Подвижность электрона | 382-865 | км2/в.с. |
| ЭПД | <300> | /cm2 |
| Лазер Марк | Н/А | |
| Толщина | 175±10 | μм |
| ТТВ | <15 | μм |
| ТИР | Н/А | μм |
| СМЫЧОК | <10> | μм |
| Искривление | <10 | μм |
| Передняя грань | Отполированный | |
| Задняя сторона | Земля | |
Обслуживание
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
Процесс вафли германия
В производственном процессе вафли германия, двуокись германия от обработки выпарки более добавочно очищена в шагах хлорирования и гидролиза.
1 ) Германий особой чистоты получен во время рафинировки зоны.
2) Кристалл германия произведен через процесс Кзокральски.
3) Вафля германия изготовлена через несколько вырезывание, меля, и вытравляя шаги.
4) Очищены вафли и осмотр. Во время этого процесса, вафли одиночная отполированная сторона или двойная сторона отполированное в соответствии с обычаем требование, епи-готовая вафля приходит.
5) Вафли упакованы в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота.
О нас
Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.
Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободными связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный
