Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Цена: | By Case |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Название продукта: | кремниевая пластина 3 дюймов | Функция: | Основная ранг |
---|---|---|---|
Допант: | П/Ас/Сб | Толщина вафли: | Путь силы |
Другое имя: | Данная допинг фосфором вафля ориентации 111 | Диаметр вафли: | 3 дюйма |
Высокий свет: | cz silicon wafer,epitaxial silicon wafer |
3 тип ранг данная допинг фосфором ориентации 111 основная 3" кремниевой пластины ФЗ н дюйма
3инч тип ранг данная допинг фосфором ориентации 111 основная 3" кремниевой пластины ФЗ н
Тип | Тип кондукции | Ориентация | Диаметр (мм) | Резистивность (Ω•см) |
Высокоомный | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | >1000 |
НТД | Н | <100>&<111> | 50 - 300 | 30-800 |
КФЗ | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 1-50 |
ГД | Н&П | <100>&<111> | 50 - 300 | 0.001-300 |
Параметр | Блок | Значение |
Кристаллическое строение | - | Монокрысталлине |
Метод роста | - | ФЗ |
Ориентировка кристаллов | - | 111 |
Тип електропроводимостьи | - | Н |
Допант | - | П/Ас/Сб |
Диаметр | мм | 76,2 |
Резистивность | Ω/км2 | >1000, 30-800, 1-50, 0.001-300 |
Толщина | ум | 350±15ум 230±15ум 380±25ум |
ТТВ | ум | ≤10 ум |
СМЫЧОК | ум | ≤40 ум |
Искривление | ум | ≤40 ум |
СТИР (Г) | ум | Стандарт клиента |
Плоскостност-СТИР места | ум | Стандарт клиента |
Зона отчуждения края | мм | СЭМИ СТД или запрос клиента |
ЛПД | - | ≥0.3μм, <30count or="" Customer="" Request=""> |
Концентрация кислорода | ппма | <1e16> |
Концентрация углерода | ппма | <1e16> |
РРГ | - | ≤15% |
Лицевая поверхность | - | Отполированный |
Задняя поверхность | - | Отполированный или вытравленный |
Состояние поверхности края | СЭМИ СТД или запрос клиента | |
Основная плоская длина | мм | СЭМИ СТД |
Основная плоская ориентация (100/111) & угол (°) | СЭМИ СТД | |
Вторичная плоская длина | мм | СЭМИ СТД |
Вторичная плоская ориентация (100/111) & угол (°) | СЭМИ СТД | |
Метка лазера | - | СЭМИ СТД или запрос клиента |
Упаковка | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, Жар-загерметизированные пластиковые сумки внутренней/алюминиевой фольги наружные, Упаковка вакуума | |
Если специфический требование клиентом, отрегулирует соответственно |
Найденный в 1990, КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд (ПАМ-СИАМЭН) ведущий изготовитель материала полупроводника доктора семикон в Китае. ПАМ-СИАМЭН развивает предварительные технологии выращивания кристаллов и эпитаксии, процессы производства, проектированные субстраты и полупроводниковые устройства. Технологии ПАМ-СИАМЭН включают высокий класс исполнения и более недорогое производство вафли полупроводника. На почти 30 лет, ПАМ-СИАМЭН направляет изготовить монокрысталлине кремниевую пластину от вытягивая процесса для того чтобы получить слиток до заключительного шага который процесс чистки, и вертикально интегрировать к росту епи (вафле епи кремния). Эта подача роста продукции и епи позволяет поддерживать надежную и качественную последовательность. Добро пожаловать вы для того чтобы запросить нашу команду инженера, и мы передадим вам полная технологическая поддержка.
Полировать: Большинств основные кремниевые пластины ранга идут через 2-3 этапа полировать, используя прогрессивно более точные слуррис или полируя смеси. Полируя процесс происходит в 2 шагах, которые удаление запаса и окончательное химическое механическое польское (CMP). Оба процесса используют полируя пусковые площадки и полируя слурры. Процесс удаления запаса извлекает очень тонкий слой кремния и необходим для произведения поверхности вафли которая свободна от повреждени. После полировать, кремниевые пластины продолжают к окончательному этапу чистки который использует длинную серию чистых ванн. Этот процесс извлекает поверхностные частицы, остаточные металлы, и выпарки. Часто задняя сторона скруб сделана для того чтобы извлечь даже самые небольшие частицы.
Упаковка: Раз вафли завершают окончательный шаг чистки, инженеры сортируют их спецификацией и проверяют их под светами высокой интенсивности или системами лазер-сканирования. Это обнаруживает излишние частицы или другие дефекты которые могут произойти во время изготовления. Все вафли которые соотвествуют свойственным спецификациям упакованы в кассетах и загерметизированы с лентой. Вафли грузят в вакуум-загерметизированном полиэтиленовом пакете с сумкой воздухонепроницаемой фольги наружной. Это обеспечивает что никакие частицы или влага не входят в кассету по выходить чистая комната.
О нас
Ответственность обеспечение качества, и качество жизнь корпорации. Мы смотрим вперед к долгосрочному сотрудничеству с клиентами, мы сделаем самое лучшее обслуживание и обслуживаний после продажи для всего из наших клиентов. Если вы имеете любое дознание, то пожалуйста не смутитесь связаться мы. Мы ответим вы на в первый раз по мере того как мы можем.
После лет развития, мы устанавливали идеальную сеть продаж и интегрированную систему обслуживания после-продажи на отечественном и за рубежом, которое позволяет компания обеспечить своевременные, точные и эффективные обслуживания, и выигрывали хорошие репутации клиента. Продукты проданы повсюду в Китае и экспортированы до больше чем 30 страны и регионов как Европа, Америка, Юго-Восточная Азия, Южная Америка, Ближний Восток и Африка. Продукция, объемов продажи и масштаб все выстроили в ряд сперва в такой же индустрии.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный