Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Цена: | By Case |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Название продукта: | Вафля ГаСб | Другое имя: | П печатает вафлю антимонида галлия |
---|---|---|---|
Функция: | Ранг теста | Допант: | цинка |
Толщина вафли: | 500±25ум | Диаметр вафли: | 2" |
warp: | <12um> | смычок: | <10um> |
Высокий свет: | 2 inch wafer,4 inch wafer |
П печатает, вафля ГаСб (антимонида галлия), 2", ранг теста - производство вафли полупроводника
2" спецификация вафли ГаСб
Деталь | Спецификации |
Допант | Цинк |
Тип кондукции | П типа |
Диаметр вафли | 2" |
Ориентация вафли | (100) ±0.5° |
Толщина вафли | 500±25ум |
Основная плоская длина | 16±2мм |
Вторичная плоская длина | 8±1мм |
Концентрация несущей | (5-100) кс1017км-3 |
Подвижность | 200-500км2/В.с |
ЭПД | <2x10>3км-2 |
ТТВ | <10um> |
СМЫЧОК | <10um> |
ИСКРИВЛЕНИЕ | <12um> |
Маркировка лазера | по требованию |
Финиш Суфасе | П/Э, П/П |
Эпи готовое | да |
Пакет | Одиночные контейнер или кассета вафли |
Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб включает основные параметры, температуру, зависимость, зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении, эффективные массы, дарителей и акцепторы
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
Основные параметры
Перепад энергии | 0,726 еВ |
Разъединение энергии (ЭΓЛ) между Γ и л долинами | 0,084 еВ |
Разъединение энергии (ЭΓС) между долинами Γ и кс | 0,31 еВ |
Разделять энергии закрутк-орбитальный | 0,80 еВ |
Концентрация внутреннеприсущей несущей | 1,5·1012 км-3 |
Внутреннеприсущая резистивность | 103 Ω·см |
Эффективная плотность зоны проводимости государств | 2,1·1017 км-3 |
Эффективная плотность валентной полосы государств | 1,8·1019 км-3 |
![]() |
Концентрация лентообразной структуры и несущей ГаСб. 300 к Например = 0,726 еВ ЭЛ = 0,81 еВ БЫВШЕЕ = еВ 1,03 Эсо = 0,8 еВ |
Те (л) | Те (кс) | Се (л) | Се (кс) | С (Л) | С (С) |
~0,02 | ≤0.08 | ~0,05 | ~0,23 | ~0,15 | ~0,30 |
Для типичной оказывающей экономическую помощь концентрации Нд≥ 1017 км-3 мелкие оказывающие экономическую помощь государства соединенные с Γ-долиной не появились.
Кажется, что будет доминантный акцептор ундопед ГаСб родным дефектом.
Этот акцептор двойн ионизабле
Эа1 | Эа2 | Си | Ге | Зн |
0,03 | 0,1 | ~0,01 | ~0,009 | ~0,037 |
О нас
Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.
Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный