Главная страница Продукция антимонид галлия

Вафля антимонида галлия ГаСб полупроводника 2 толщина ранга 500±25ум теста дюйма

Semiconductor GaSb Gallium Antimonide Wafer 2 Inch Test Grade 500±25um Thickness

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Китай
Фирменное наименование:	PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1-10,000пкс
Цена:	By Case
Время доставки:	5-50 рабочих дней
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	10 000 вафель/месяц

Контакт

Подробное описание продукта

Название продукта:	Вафля ГаСб	Другое имя:	П печатает вафлю антимонида галлия
Функция:	Ранг теста	Допант:	цинка
Толщина вафли:	500±25ум	Диаметр вафли:	2"
warp:	<12um>	смычок:	<10um>
Высокий свет:	2 inch wafer , 4 inch wafer

П печатает, вафля ГаСб (антимонида галлия), 2", ранг теста - производство вафли полупроводника

2" спецификация вафли ГаСб

Деталь	Спецификации
Допант	Цинк
Тип кондукции	П типа
Диаметр вафли	2"
Ориентация вафли	(100) ±0.5°
Толщина вафли	500±25ум
Основная плоская длина	16±2мм
Вторичная плоская длина	8±1мм
Концентрация несущей	(5-100) кс1017км-3
Подвижность	200-500км2/В.с
ЭПД	<2x10>3км-2
ТТВ	<10um>
СМЫЧОК	<10um>
ИСКРИВЛЕНИЕ	<12um>
Маркировка лазера	по требованию
Финиш Суфасе	П/Э, П/П
Эпи готовое	да
Пакет	Одиночные контейнер или кассета вафли

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб включает основные параметры, температуру, зависимость, зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении, эффективные массы, дарителей и акцепторы

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

Основные параметры

Перепад энергии	0,726 еВ
Разъединение энергии (ЭΓЛ) между Γ и л долинами	0,084 еВ
Разъединение энергии (ЭΓС) между долинами Γ и кс	0,31 еВ
Разделять энергии закрутк-орбитальный	0,80 еВ
Концентрация внутреннеприсущей несущей	1,5·1012 км-3
Внутреннеприсущая резистивность	103 Ω·см
Эффективная плотность зоны проводимости государств	2,1·1017 км-3
Эффективная плотность валентной полосы государств	1,8·1019 км-3

Концентрация лентообразной структуры и несущей ГаСб. 300 к
Например = 0,726 еВ
ЭЛ = 0,81 еВ
БЫВШЕЕ = еВ 1,03
Эсо = 0,8 еВ

Энергии ионизацией мелких дарителей (еВ)

Те (л)	Те (кс)	Се (л)	Се (кс)	С (Л)	С (С)
~0,02	≤0.08	~0,05	~0,23	~0,15	~0,30

Для типичной оказывающей экономическую помощь концентрации Нд≥ 1017 км-3 мелкие оказывающие экономическую помощь государства соединенные с Γ-долиной не появились.

Энергии ионизацией мелких акцепторов (еВ):

Кажется, что будет доминантный акцептор ундопед ГаСб родным дефектом.
Этот акцептор двойн ионизабле

Эа1	Эа2	Си	Ге	Зн
0,03	0,1	~0,01	~0,009	~0,037

О нас

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

тег: