Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии

Ундопед, субстрат антимонида индия, 3", основная ранг

Ундопед, субстрат антимонида индия, 3", основная ранг

Электрические свойства вафли ИнСб

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб включает основные параметры, подвижность и эффект Холла, свойства перехода в сильных электрических полях, ионизации удара
, Параметры рекомбинации

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнСб – антимонид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или ундопед в различной ориентации (111) или (100). Антимонид индия (ИнСб) кристаллическая смесь сделанная из индия (In) элементов и сурьмы (Сб). Материал полупроводника узк-зазора от группы ИИИ-В используемой в ультракрасных детекторах, включая камеры термического изображения, системы ФЛИР, ультракрасные системы наведения ракеты с системой самонаведения, и в ультракрасной астрономии. Детекторы антимонида индия чувствительны между 1-5 длинами волны µм.

Обслуживание

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

Основные параметры

Подвижность и эффект Холла

	Подвижность Халл электрона против температуры для различных давая допинг уровней и различных коэффициентов компенсации Кривая Нд (км-3) θ = На/Нд 1. 3,85·1014 0,5 2. 8,5·1014 0,88 3. 9,5·1014 0,98 4. 1,35·1015 0,99
	Подвижность электрона против температуры (высоких температур). Сплошная линия теоретический расчет для подвижности дрейфа электронов. Экспериментальные данные подвижности Халл.

Продырявьте подвижность Халл против температуры для различной концентрации отверстия. по (км-3): 1. 8·1014; 2. 3,15·1018; 3. 2,5·1019;

Ионизация удара

Зависимость тарифа поколения для электронов нь против электрического поля ф, 300 к

Для 300 к, для 30 В/км < F="">

нь (ф) = 126·Ф2експ (Ф/160) (с-1),

где ф в см-1 в.

	Зависимость тарифа поколения для электронов нь против электрического поля ф, 77 к
	Зависимость ионизации классифицирует для αи электронов против электрического поля ф, Т=78 к
	Зависимость тарифа поколения для гп отверстий против электрического поля ф, т =77К

Параметры рекомбинации

Для чистого ИнСб на продолжительности жизни Т≥250К несущей (электроны и отверстия) определяет рекомбинацией сверла:
τн = τп ≈1/К ни2,
где К≈5·10-26 км-6 с-1 коэффициент сверла.
ни концентрация внутреннеприсущей несущей.

	Зависимость температуры поверхностной скорости рекомбинации для п-ИнСб.
	Зависимость температуры поверхностной скорости рекомбинации для н-ИнСб.

Вы ищете вафля ИнСб?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнСб, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

Обслуживание

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.