Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Название продукта: | Вафля субстрата антимонида индия | Вафля Дямтер: | 3 дюйма |
---|---|---|---|
Класс: | Основная ранг | Функция: | Ундопед вафля ИнСб |
Толщина вафли: | 3 ″ 800ор900±25ум | Ключевое слово: | Вафля ИнСб антимонида индия |
Высокий свет: | as cut wafer,insb wafer |
Ундопед, субстрат антимонида индия, 3", основная ранг
Ундопед, субстрат антимонида индия, 3", основная ранг
Спецификация вафли | |
Деталь | Спецификации |
Диаметр вафли |
3 ″ 76.2±0.4мм |
Ориентировка кристаллов |
″ 3 (111) АорБ±0.1° |
Толщина |
3 ″ 800ор900±25ум |
Основная плоская длина |
3 ″ 22±2мм |
Вторичная плоская длина |
3 ″ 11±1мм |
Поверхностный финиш | П/Э, П/П |
Пакет | Эпи-готовые, одиночные контейнер вафли или кассета КФ |
Электрический и дающ допинг спецификации | |
Тип кондукции | н типа |
Допант | Ундопед |
См-2 ЭПД | ≤50 |
² В-1с-1 см подвижности | ≥4*105 |
Концентрация несущей км-3 | 5*1013-3*1014 |
Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб включает основные параметры, подвижность и эффект Холла, свойства перехода в сильных электрических полях, ионизации удара
, Параметры рекомбинации
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнСб – антимонид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или ундопед в различной ориентации (111) или (100). Антимонид индия (ИнСб) кристаллическая смесь сделанная из индия (In) элементов и сурьмы (Сб). Материал полупроводника узк-зазора от группы ИИИ-В используемой в ультракрасных детекторах, включая камеры термического изображения, системы ФЛИР, ультракрасные системы наведения ракеты с системой самонаведения, и в ультракрасной астрономии. Детекторы антимонида индия чувствительны между 1-5 длинами волны µм.
Обслуживание
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
Поле нервного расстройства | См-1 ≈103 в |
Электроны подвижности | ≤7.7·104 км2В-1с-1 |
Отверстия подвижности | ≤850 км2В-1с-1 |
Электроны коэффициента диффузии | ≤2·103 км2с-1 |
Отверстия коэффициента диффузии | ≤22 км2с-1 |
Скорость восходящего потока теплого воздуха электрона | 9,8·105 м с-1 |
Скорость восходящего потока теплого воздуха отверстия | 1,8·105 м с-1 |
![]() |
Подвижность Халл электрона против температуры для различных давая допинг уровней и различных коэффициентов компенсации
|
|||||||||||||||
![]() |
Подвижность электрона против температуры (высоких температур). Сплошная линия теоретический расчет для подвижности дрейфа электронов. Экспериментальные данные подвижности Халл. |
Максимал подвижность электрона для чистого н-ИнСб | |
77 к | 1,2·106 км2В-1с-1 |
300 к | 7,7·104 км2В-1с-1 |
Максимал подвижность электрона для ИнСб, который выросли на субстрате ГаАс | |
77К | 1,5·105 км2В-1с-1 (но= 2,2·1015 км-3) |
300 к | 7,0·104 км2В-1с-1 (но= 2,0·1016 км-3) |
Максимал подвижность электрона для ИнСб, который выросли на субстрате ИнП | |
77 к | 1,1·105 км2В-1с-1 |
300 к | 7,0·104 км2В-1с-1 |
![]() |
Продырявьте подвижность Халл против температуры для различной концентрации отверстия. по (км-3): 1. 8·1014; 2. 3,15·1018; 3. 2,5·1019; |
![]() |
Зависимость тарифа поколения для электронов нь против электрического поля ф, 300 к |
Для 300 к, для 30 В/км < F="">
нь (ф) = 126·Ф2експ (Ф/160) (с-1),
где ф в см-1 в.
![]() |
Зависимость тарифа поколения для электронов нь против электрического поля ф, 77 к |
![]() |
Зависимость ионизации классифицирует для αи электронов против электрического поля ф, Т=78 к |
![]() |
Зависимость тарифа поколения для гп отверстий против электрического поля ф, т =77К |
Для чистого ИнСб на продолжительности жизни Т≥250К несущей (электроны и отверстия) определяет рекомбинацией сверла:
τн = τп ≈1/К ни2,
где К≈5·10-26 км-6 с-1 коэффициент сверла.
ни концентрация внутреннеприсущей несущей.
Для т = 300 к | τн = τп≈5·10-8 с |
Для т = 77К | |
н типа: продолжительность жизни отверстий | τп | 10-6 с |
п типа: продолжительность жизни электронов | τн | 10-10 с |
![]() |
Зависимость температуры поверхностной скорости рекомбинации для п-ИнСб. |
![]() |
Зависимость температуры поверхностной скорости рекомбинации для н-ИнСб. |
Радиационный коэффициент рекомбинации | ~5·10-11 км3с-1 |
Коэффициент сверла | ~5·10-26 км6с-1 |
ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнСб, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!
Обслуживание
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный