Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
Название продукта: | вафля гаас | Вафля Дямтер: | 6 дюймов |
---|---|---|---|
Тип кондукции: | Полу-изолировать | Класс: | Механическая ранг |
Использование: | Микроэлектроника | Ключевое слово: | Вафля арсенида галлия |
Высокий свет: | n type silicon wafer,p type silicon wafer |
Полу-изолирующ, субстрат арсенида галлия, 6", механическая ранг
(6 вафель арсенида галлия ″ (150мм) (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники
Деталь | Спецификации | Примечания |
Тип кондукции |
Полу-изолировать |
|
Метод роста | ВГФ | |
Допант | Ундопед | |
Тип | Н | |
Дяматер (мм) | 150±0.25 | |
Ориентация |
(100) 0°±3.0° |
|
Ориентация ЗАЗУБРИНЫ | (010) ±2° | |
ЗАЗУБРИНА Деептх (мм) | (1-1.25) мм 89°-95° | |
Концентрация несущей |
Н/А |
|
Резистивность (охм.км | >1.0×107 или 0.8-9 кс10-3 | |
Подвижность (км2/в.с) | Н/А | |
Вывихивание |
Н/А |
|
Толщина (µм) |
675±25 |
|
Исключение края для смычка и искривления (мм) | Н/А | |
Смычок (µм) | Н/А | |
Искривление (µм) |
≤20.0 |
|
ТТВ (µм) | ≤10.0 | |
ТИР (µм) | ≤10.0 | |
ЛФПД (µм) |
Н/А |
|
Полировать | П/П Эпи-готовое |
Свойства ГаАс Кристл
Свойства | ГаАс |
Атомс/км3 | 4,42 кс 1022 |
Атомный вес | 144,63 |
Поле нервного расстройства | приблизительно 4 кс 105 |
Кристаллическая структура | Зинкбленде |
Плотность (г/км3) | 5,32 |
Диэлектрическая константа | 13,1 |
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, Нк (см-3) | 4,7 кс 1017 |
Эффективная плотность состояний в валентной полосе, Нв (см-3) | 7,0 кс 1018 |
Сродство к электрону (в) | 4,07 |
Перепад энергии на 300К (еВ) | 1,424 |
Концентрация внутреннеприсущей несущей (см-3) | 1,79 кс 106 |
Внутреннеприсущая длина Дебе (микроны) | 2250 |
Внутреннеприсущая резистивность (ом-см) | 108 |
Константа решетки (ангстромы) | 5,6533 |
Линейный коэффициент теплового расширения, | 6,86 кс 10-6 |
ΔЛ/Л/ΔТ (1 ДЕГ К) | |
Точка плавления (ДЕГ К) | 1238 |
Продолжительность жизни несущей меньшинства (с) | приблизительно 10-8 |
Подвижность (смещение) | 8500 |
(см2/В-с) | |
µн, электроны | |
Подвижность (смещение) | 400 |
(см2/В-с) | |
µп, отверстия | |
Оптически энергия (eV) фонона | 0,035 |
Длина свободного пути фонона средняя (ангстромы) | 58 |
Специфическая жара | 0,35 |
(Дж/г-дег к) | |
Термальная проводимость на 300 к | 0,46 |
(В/км-дегК) | |
Термальная диффузорность (см2/сек) | 0,24 |
Давление пара (Pa) | 100 на 1050 ДЕГ К; |
1 на 900 ДЕГ К |
Что вафля ГаАс?
Вафля ГаАс важный материал семикондукор. Она принадлежит для того чтобы собрать сложный полупроводник ИИИ-В. Тип решетчатая структура сфалерита с константой решетки 5.65кс 10-10м, точки плавления ℃ 1237 и зазора диапазона 1,4 ЭВ. Арсенид галлия можно сделать в семи изолировать высокоомные материалы с резистивностью более высоко чем кремний и германий больше чем 3 порядками величины, могущие понадобиться для того чтобы сделать субстрат интегральной схемаы, ультракрасный детектор, детектор фотона γ, етк. потому что своя подвижность электрона 5-6 раз больше чем это из кремния, оно широко был использован в приборах микроволны и высокоскоростных вычислительных цепях. Полупроводниковое устройство сделанное ГаАс имеет преимущества сопротивления частоты коротковолнового диапазона, высокотемпературных и низких температуры, малошумных и сильных радиации. К тому же, его можно также использовать для того чтобы сделать приборы оптового влияния.
Что механические свойства, упругие постоянные, вибрации решетки вафли ГаАс?
Модуль основной массы | 7,53·1011 см-2 дын |
Плотность | 5,317 г км-3 |
Твердость в масштабе Мохс | между 4 и 5 |
Поверхностный микрохарднесс (используя тест пирамиды Кнооп) | 750 кг мм-2 |
Плоскость излома | {110} |
Пьезоэлектрическая константа | е14=-0.16 к м-2 |
К11=11.90·1011 дын/км2
К12=5.34·1011 дын/км2
К44=5.96·1011 дын/км2
![]() |
Зависимость температуры упругих постоянных. На 0 К12= 5,46 до 0,64·10-3Т К44= 6,16 до 0,70·10-3Т |
Модуль основной массы (компрессибилиты-1) | Бс= 7,53·1011дын/км2 |
Модуль ножниц | К'= 3,285·1011дын/км2 |
[100] Йоунг модуль | Йо= 8,59·1011дын/км2 |
[100] коэффициент Поиссон | σо = 0,31 |
Волна распространение Направление |
Волна характер |
Выражение для скорости волны | Скорость волны (в блоках 105 км/с) |
[100] | ВЛ | (К11/ρ) 1/2 | 4,73 |
ВТ | (К44/ρ) 1/2 | 3,35 | |
[110] | Вл | [(К11+Кл2+2К44)/2ρ] 1/2 | 5,24 |
Вт|| | Вт||=ВТ= (К44/ρ) 1/2 | 3,35 | |
Вт⊥ | [(К11-К12)/2ρ] 1/2 | 2,48 | |
[111] | Вл | [(К11+2К12+4К44)/3ρ] 1/2 | 5,4 |
Вт | [(К11-К12+К44)/3ρ] 1/2 | 2,8 |
(в блоках 1012 Хз)
νТО (Γ) | 8,02 | νЛО (кс) | 7,22 |
νЛО (Γ) | 8,55 | νТА (л) | 1,86 |
νТА (кс) | 2,36 | νЛА (л) | 6,26 |
νЛА (кс) | 6,80 | νТО (л) | 7,84 |
νТО (кс) | 7,56 | νЛО (л) | 7,15 |
Обслуживание
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
О нас
Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.
Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный