Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

6Х Полу-изолируя субстрат СиК с отполированным Кмп, рангом исследования, 10мм кс 10мм

Здесь показывает детальную спецификацию:

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

6Х Полу-изолируя субстрат СиК, ранг исследования, 10мм кс 10мм

СиК

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.

Применение детали кремниевого карбида

Из-за свойств СиК физических и электронных, основанный кремниевый карбид прибор хорошо соответствующий для коротких электронных устройств длины волны электронно-оптических, высокотемпературных, радиационностойких, и высокомощных/высокочастотных, сравненных с Си и основанным ГаАс прибором.

Много исследователей знают применение СиК генерала: Низложение нитрида ИИИ-В; Электронно-оптические приборы; Приборы наивысшей мощности; Высокотемпературные приборы; Высокочастотное немного людей силы Девисес.Бут знает применения детали, здесь мы перечисляем применение некоторой детали и делаем некоторые объяснения:

1. Субстрат СиК для монохроматоров рентгеновского снимка: как, используя д-дистанционирование СиК большое около 15 а;
2. субстрат СиК для высоковольтных приборов;
3. субстрат СиК для роста фильма диаманта микроволной плазм-увеличил низложение химического пара;
4. Для диода п-н кремниевого карбида;
5. субстрат СиК для оптически окна: как для очень короткий (< 100="" fs=""> 100 ГВ/км2) лазер пульсирует с длиной волны 1300 нм. Он должен иметь низкий показатель поглощения и низкий показатель поглощения 2 фотонов для 1300 нм.
6. субстрат СиК для распространителя жары: Например, кристалл кремниевого карбида будет капилляром скрепленным на поверхности обломока равномерного усиления ВЭКСЭЛ (лазера) для того чтобы извлечь произведенную жару насоса. Поэтому, следующие свойства важны:
1) Полу-изолируя тип требуемый, что предотвратить свободную абсорбцию несущей лазерного луча;

2) Двойная отполированная сторона предпочтена;

3) Шероховатость поверхности: < 2nm="">

Скорость сатурации

Скорость сатурации максимальная скорость перенос ионов в полупроводнике, вообще электроне, достигает в присутствии к очень сильным электрическим полям [1]. Поручите каррирснормалли движение на средней скорости смещения пропорциональной к силе электрического поля они испытывают преходяще. Константа соразмерности как подвижность несущей, которая материальное свойство. Хороший проводник имел бы высокое значение подвижности для своего переноса ионов, который значит более высокую скорость, и следовательно более сильнотоковые значения для, который дали силы электрического поля. Предел однако к этому процессу и на некотором высоком значении поля, перенос ионов не может двинуть сколько угодно более быстро, достигающ свою скорость сатурации, должную к механизмам которые окончательно ограничивают движение несущих в материал.

О нас

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.