Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Цена: | By Case |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
имя: | Семи изолируя вафля кремниевого карбида | Описание: | СЭМИ субстрат 6Х |
---|---|---|---|
Ключевые слова: | вафля кремниевого карбида полупроводника | Размер: | 10mm x 10mm |
Диаметр: | (50,8 ± 0,38) мм | Класс: | Ранг исследования |
Применение: | исследователь | Резистивность (RT): | >1Э5 Ω·см |
Высокий свет: | 4h sic wafer,sic wafer |
6Х Полу-изолируя субстрат СиК с отполированным Кмп, рангом исследования, 10мм кс 10мм
Здесь показывает детальную спецификацию:
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
не = 2,777 | не = 2,755 | |
Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
6Х Полу-изолируя субстрат СиК, ранг исследования, 10мм кс 10мм
СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С6Х-51-СИ-ПВАМ-250 С6Х-51-СИ-ПВАМ-330 С6Х-51-СИ-ПВАМ-430 |
Описание | Исследования ранга 6ХсубстратСЭМИ |
Полытыпе | 6Х |
Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
Шероховатость поверхности | < 0=""> |
ФВХМ | <50 arcsec=""> |
Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
Поверхностная ориентация | |
На ± <0001>0.5° оси | |
С оси 3.5° к <11-20>± 0.5° | |
Основная плоская ориентация | ± 5° параллели {1-100} |
Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
Годная к употреблению область | ≥ 90% |
Исключение края | 1 мм |
СиК
ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.
Из-за свойств СиК физических и электронных, основанный кремниевый карбид прибор хорошо соответствующий для коротких электронных устройств длины волны электронно-оптических, высокотемпературных, радиационностойких, и высокомощных/высокочастотных, сравненных с Си и основанным ГаАс прибором.
Много исследователей знают применение СиК генерала: Низложение нитрида ИИИ-В; Электронно-оптические приборы; Приборы наивысшей мощности; Высокотемпературные приборы; Высокочастотное немного людей силы Девисес.Бут знает применения детали, здесь мы перечисляем применение некоторой детали и делаем некоторые объяснения:
1. Субстрат СиК для монохроматоров рентгеновского снимка: как, используя д-дистанционирование СиК большое около 15 а;
2. субстрат СиК для высоковольтных приборов;
3. субстрат СиК для роста фильма диаманта микроволной плазм-увеличил низложение химического пара;
4. Для диода п-н кремниевого карбида;
5. субстрат СиК для оптически окна: как для очень короткий (< 100="" fs=""> 100 ГВ/км2) лазер пульсирует с длиной волны 1300 нм. Он должен иметь низкий показатель поглощения и низкий показатель поглощения 2 фотонов для 1300 нм.
6. субстрат СиК для распространителя жары: Например, кристалл кремниевого карбида будет капилляром скрепленным на поверхности обломока равномерного усиления ВЭКСЭЛ (лазера) для того чтобы извлечь произведенную жару насоса. Поэтому, следующие свойства важны:
1) Полу-изолируя тип требуемый, что предотвратить свободную абсорбцию несущей лазерного луча;
2) Двойная отполированная сторона предпочтена;
3) Шероховатость поверхности: < 2nm="">
Скорость сатурации
Скорость сатурации максимальная скорость перенос ионов в полупроводнике, вообще электроне, достигает в присутствии к очень сильным электрическим полям [1]. Поручите каррирснормалли движение на средней скорости смещения пропорциональной к силе электрического поля они испытывают преходяще. Константа соразмерности как подвижность несущей, которая материальное свойство. Хороший проводник имел бы высокое значение подвижности для своего переноса ионов, который значит более высокую скорость, и следовательно более сильнотоковые значения для, который дали силы электрического поля. Предел однако к этому процессу и на некотором высоком значении поля, перенос ионов не может двинуть сколько угодно более быстро, достигающ свою скорость сатурации, должную к механизмам которые окончательно ограничивают движение несущих в материал.
О нас
Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.
Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный