Семи изолируя ранг 10ммкс10мм субстрата 6Х кремниевого карбида СиК фиктивная

6Х Полу-изолируя субстрат СиК, фиктивную ранг, 10мм кс 10мм
 

Выращивание кристаллов СиК

Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.

Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) для электронной и электронно-оптической индустрии. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный.
 

6Х Полу-изолируя субстрат СиК, фиктивную ранг, 10мм кс 10мм

Изоляторы СиК: Термальные окиси и технология МОС

Подавляющее большинство полупроводник-интегрированных обломоков цепи в пользе сегодня полагается на метал-оксиде- кремния

транзисторы пол-влияния полупроводника (МОСФЭЦ), рабочий которых электронные преимущества и

физика прибора суммирована в главе Кацумата и в другом месте. Данный крайность

польза и успех заворота направляют МОСФЭТ основанную на электронику в кремнии ВЛСИ (так же, как

дискретные приборы силы кремния), естественно желаемо снабдить высокопроизводительный заворот

МОСФЭЦ канала в СиК. Как кремний, СиК формирует восходящий поток теплого воздуха  когда он достаточно нагрет в

окружающая среда кислорода. Пока это позволяет технология МОС СиК несколько следовать сильно успешным

путь технологии МОС кремния, там однако важные разницы в качестве изолятора и

обработка прибора которое в настоящее время предотвращает МОСФЭЦ СиК от осуществлять их полное полезное

потенциал. Пока следующая речь пытается быстро выделить ключевые вопросы смотря на МОСФЭТ СиК

развитие, более детальные проницательности можно найти с ссылками 133-142.
 
О нас
 
Ответственность обеспечение качества, и качество жизнь корпорации. Мы смотрим вперед к долгосрочному сотрудничеству с клиентами, мы сделаем самое лучшее обслуживание и обслуживаний после продажи для всего из наших клиентов. Если вы имеете любое дознание, то пожалуйста не смутитесь связаться мы. Мы ответим вы на в первый раз по мере того как мы можем.
 
После лет развития, мы устанавливали идеальную сеть продаж и интегрированную систему обслуживания после-продажи на отечественном и за рубежом, которое позволяет компания обеспечить своевременные, точные и эффективные обслуживания, и выигрывали хорошие репутации клиента. Продукты проданы повсюду в Китае и экспортированы до больше чем 30 страны и регионов как Европа, Америка, Юго-Восточная Азия, Южная Америка, Ближний Восток и Африка. Продукция, объемов продажи и масштаб все выстроили в ряд сперва в такой же индустрии.