Место происхождения: | Китай |
Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
---|---|
Цена: | By Case |
Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
Условия оплаты: | T/T |
Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
имя: | Семи изолируя вафля СиК | Класс: | Фиктивная ранг |
---|---|---|---|
Описание: | СЭМИ субстрат 6Х | Размер: | 10mm x 10mm |
Ключевые слова: | вафля кремниевого карбида СиК одиночного кристалла | Применение: | электронно-оптическая индустрия |
Высокий свет: | 4h sic wafer,sic wafer |
6Х Полу-изолируя субстрат СиК, фиктивную ранг, 10мм кс 10мм
Выращивание кристаллов СиК
Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.
Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ
Полытыпе | Одиночное Кристл 4Х | Одиночное Кристл 6Х |
Параметры решетки | а=3.076 Å | а=3.073 Å |
к=10.053 Å | к=15.117 Å | |
Штабелировать последовательность | АБКБ | АБКАКБ |
Диапазон-зазор | еВ 3,26 | еВ 3,03 |
Плотность | 3,21 · 103 кг/м3 | 3,21 · 103 кг/м3 |
Тхэрм. Коэффициент расширения | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
Индекс рефракции | отсутствие = 2,719 | отсутствие = 2,707 |
не = 2,777 | не = 2,755 | |
Диэлектрическая константа | 9,6 | 9,66 |
Термальная проводимость | 490 В/мК | 490 В/мК |
Поле нервного расстройства электрическое | 2-4 · 108 В/м | 2-4 · 108 В/м |
Дрейфовая скорость сатурации | 2,0 · 105 м/с | 2,0 · 105 м/с |
Подвижность электрона | 800 км2/В·С | 400 км2/В·С |
дырочная подвижность | 115 км2/В·С | 90 км2/В·С |
Твердость Мохс | ~9 | ~9 |
ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) для электронной и электронно-оптической индустрии. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный.
6Х Полу-изолируя субстрат СиК, фиктивную ранг, 10мм кс 10мм
СВОЙСТВО СУБСТРАТА | С6Х-51-СИ-ПВАМ-250 С6Х-51-СИ-ПВАМ-330 С6Х-51-СИ-ПВАМ-430 |
Описание | Фиктивный ранга 6ХсубстратСЭМИ |
Полытыпе | 6Х |
Диаметр | (50,8 ± 0,38) мм |
Толщина | (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25) |
Резистивность (RT) | >1Э5 Ω·см |
Шероховатость поверхности | < 0=""> |
ФВХМ | <50 arcsec=""> |
Плотность Микропипе | А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2 |
Поверхностная ориентация | |
На ± <0001>0.5° оси | |
С оси 3.5° к <11-20>± 0.5° | |
Основная плоская ориентация | Пройдите ± прошед параллельно параллельно 5° {1-100} |
Основная плоская длина | ± 16,00 1,70 мм |
Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского | |
К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского | |
Вторичная плоская длина | ± 8,00 1,70 мм |
Поверхностный финиш | Одиночная или двойная отполированная сторона |
Упаковка | Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли |
Годная к употреблению область | ≥ 90% |
Исключение края | 1 мм |
Изоляторы СиК: Термальные окиси и технология МОС
Подавляющее большинство полупроводник-интегрированных обломоков цепи в пользе сегодня полагается на метал-оксиде- кремния
транзисторы пол-влияния полупроводника (МОСФЭЦ), рабочий которых электронные преимущества и
физика прибора суммирована в главе Кацумата и в другом месте. Данный крайность
польза и успех заворота направляют МОСФЭТ основанную на электронику в кремнии ВЛСИ (так же, как
дискретные приборы силы кремния), естественно желаемо снабдить высокопроизводительный заворот
МОСФЭЦ канала в СиК. Как кремний, СиК формирует восходящий поток теплого воздуха когда он достаточно нагрет в
окружающая среда кислорода. Пока это позволяет технология МОС СиК несколько следовать сильно успешным
путь технологии МОС кремния, там однако важные разницы в качестве изолятора и
обработка прибора которое в настоящее время предотвращает МОСФЭЦ СиК от осуществлять их полное полезное
потенциал. Пока следующая речь пытается быстро выделить ключевые вопросы смотря на МОСФЭТ СиК
развитие, более детальные проницательности можно найти с ссылками 133-142.
О нас
Ответственность обеспечение качества, и качество жизнь корпорации. Мы смотрим вперед к долгосрочному сотрудничеству с клиентами, мы сделаем самое лучшее обслуживание и обслуживаний после продажи для всего из наших клиентов. Если вы имеете любое дознание, то пожалуйста не смутитесь связаться мы. Мы ответим вы на в первый раз по мере того как мы можем.
После лет развития, мы устанавливали идеальную сеть продаж и интегрированную систему обслуживания после-продажи на отечественном и за рубежом, которое позволяет компания обеспечить своевременные, точные и эффективные обслуживания, и выигрывали хорошие репутации клиента. Продукты проданы повсюду в Китае и экспортированы до больше чем 30 страны и регионов как Европа, Америка, Юго-Восточная Азия, Южная Америка, Ближний Восток и Африка. Продукция, объемов продажи и масштаб все выстроили в ряд сперва в такой же индустрии.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный