 |
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
| Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
|---|---|
| Цена: | By Case |
| Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
| Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
| Размерности: | 50,8 ±1 мм | Другое имя: | Субстрат нитрида галлия |
|---|---|---|---|
| Название продукта: | ган вафля | Тип кондукции: | Н типа, Полу-изолирующ |
| Деталь: | ПАМ-ФС-ГАН-50-У | Толщина: | 350 ±25 μм 430±25μм |
| Высокий свет: | gan on silicon wafer,gan wafer |
||
Субстраты ГаН большей части У-ГаН 2 дюймов свободные стоящие, Эпи-готовая ранг для лазерного диода ГаН
ГаН очень трудные (12±2 ГПа, механически стабилизированный широкий материал полупроводника бандгап с высокой теплоемкостью и термальной проводимостью. В своей чистой форме оно сопротивляется треснуть и можется быть депозирован в тонком фильме на сапфире или кремниевом карбиде, несмотря на рассогласование в их константах решетки. ГаН можно дать допинг с кремнием (Si) или с кислородом к н типа и с магнием (Mg) к п типа. Однако, изменение атомов Си и Мг путь кристаллы ГаН растут, вводил растяжимые стрессы и делающ их хрупким. Смеси Галлюмнитриде также клонят иметь высокую плотность дислокации, заказанн 108 до 1010 дефектов в квадратный сантиметр. Широкое поведение диапазон-зазора ГаН соединено с специфическими изменениями в структуре полосы электронной перестройки, занятии обязанности и регионах химического соединения
субстраты 2инч Фрестандинг У-ГаН ГаН
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН-50-У |
| Размер | 50,8 ±1 мм |
| Толщина | 350 ±25 μм 430±25μм |
| Ориентация | К строгает (0001) с угла к М-оси 0,35 ±0.15° |
| Ориентация плоская | (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 мм |
| Вторичная ориентация плоская | (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 мм |
| Тип кондукции |
Н типа |
| Резистивность (300К) |
< 0=""> |
| ТТВ | μм ≤ 15 |
| СМЫЧОК | -20 μм ≤ 20 СМЫЧКА ≤ μм |
| Шероховатость поверхности: |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 105 до 5 кс 10 6 см -2 (высчитанных КЛ) * |
| Плотность дефекта макроса | < 2="" cm="">-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение дефектов края и макроса) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
субстраты 2инч Фрестандинг У-ГаН ГаН
Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекры стал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.
Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе, ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и инфраструктура кабельного телевидения в сети, участках воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность, малошумной диаграмме и высоких линеарностях.
Поверхностный ОТЧЕТ О материал-ТЕСТА шершавости-ГаН
Шероховатость поверхности обычно сокращена к шершавости и компонент поверхностной текстуры. Она квантифицирована отступлением нормального направления вектора реальной поверхности от своей идеальной формы. Если эти отступления большие, то поверхность груба; Если они небольшие, то поверхность ровна. В поверхностном измерении, рассмотрены, что будет шершавость вообще высокочастотным компонентом длины короткой волны поверхности измеряя масштаба. На практике, однако, часто необходимо знать амплитуду и частоту для обеспечения что поверхность соответствующая для цели.
Ниже пример шероховатости поверхности материала ГаН:
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный
