 |
| Место происхождения: | Китай |
| Фирменное наименование: | PAM-XIAMEN |
| Количество мин заказа: | 1-10,000пкс |
|---|---|
| Цена: | By Case |
| Упаковывая детали: | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо |
| Время доставки: | 5-50 рабочих дней |
| Условия оплаты: | T/T |
| Поставка способности: | 10 000 вафель/месяц |
| Толщина: | 350 ±25 μм 430±25μм | Деталь: | ПАМ-ФС-ГАН-50-Н |
|---|---|---|---|
| Тип кондукции: | Н типа | Название продукта: | Вафля субстрата нитрида галлия |
| Другое имя: | ган вафля | Размерности: | 50,8 ±1 мм |
| ТТВ: | < 0=""> | смычок: | -20 μм ≤ 20 СМЫЧКА ≤ μм |
| Высокий свет: | gallium nitride gan,gan on silicon wafer |
||
Субстраты ГаН большей части Н-ГаН 2 дюймов Фрестандинг для структуры СИД, ЛД или ХЭМТ
субстраты 2инч Фрестандинг Н-ГаН ГаН
Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей делал индустрию полупроводника переосмыслить выбор материала используемые как полупроводники. Например, по мере того как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникают, польза кремния делает ее трудным вытерпеть закон Мооре. Но также в производительности электроники, свойства кремния больше не достаточны для того чтобы позволить более дополнительным улучшениям в эффективности преобразования.
Здесь показывает детальную спецификацию:
субстраты 2инч Фрестандинг Н-ГаН ГаН
| Деталь | ПАМ-ФС-ГаН-50-Н |
| Размер | 50,8 ±1 мм |
| Толщина | 350 ±25 μм 430±25μм |
| Ориентация | Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,35 ±0.15° |
| Ориентация плоская | (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 мм |
| Вторичная ориентация плоская | (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 мм |
| Тип кондукции | Н типа |
| Резистивность (300К) |
>106 Ω·см |
| ТТВ | < 0=""> |
| СМЫЧОК | -20 μм ≤ 20 СМЫЧКА ≤ μм |
| Шероховатость поверхности: |
Лицевая сторона: Ра<0> Задняя сторона: Точная земля или отполированный. |
| Плотность дислокации | От 1 кс 105 до 5 кс 10 6 см -2 (высчитанных КЛ) * |
| Плотность дефекта макроса | < 2="" cm="">-2 |
| Годная к употреблению область | > 90% (исключение дефектов края и макроса) |
| Пакет | каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой |
ОТЧЕТ О материал-ТЕСТА Трансмитансе-ГаН
Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.
Пропускаемость поверхности вафли эффективность своей передачи радиационной энергии. Сравненный с коэффициентом передачи, это часть силы случая электромагнитной переданной через образец, и коэффициент передачи коэффициент переданного электрического поля к электрическому полю случая.
Обслуживание
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.
Трансмитансе материала ГаН
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая
Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов
Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение
Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД
Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная
Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН
тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый
На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции
Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный
