Главная страница ПродукцияВафля фосфида индия

ИнП Кристл ранг вафли 3 дюймов фиктивная Семи изолируя тип пользу СИ стекловолокна

ИнП Кристл ранг вафли 3 дюймов фиктивная Семи изолируя тип пользу СИ стекловолокна

Crystal InP 3 Inch Wafer Dummy Grade Semi Insulating SI Type Optical Fibre Use

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Ключевое слово: вафля иньп Вафля Дямтер: 3 дюйма
Тип кондукции: Семи изолирующ Название продукта: Вафля фосфида индия
Применение: 600±25ум Класс: Фиктивная ранг
ТТВ: <12um> лазерная маркировка: на запросе
Высокий свет:

test grade wafer

,

epi ready wafer

Полу-изолировать, вафля ИнП (фосфида индия) кристаллическая, 3", фиктивная ранг

 

 

Полу-изолирующ, вафля ИнП, 3", фиктивная ранг

3" спецификация вафли ИнП      
Деталь Спецификации
Тип кондукции СИ типа
Допант Утюг
Диаметр вафли 3"
Ориентация вафли 100±0.5°
Толщина вафли 600±25ум
Основная плоская длина 16±2мм
Вторичная плоская длина 8±1мм
Концентрация несущей ≤3кс1016км-3 (0.8-6) кс1018км-3 (0.6-6) кс1018км-3 Н/А
Подвижность (3.5-4) кс103км2/В.с (1.5-3.5) кс103км2/В.с 50-70км2/В.с >1000км2/В.с
Резистивность Н/А Н/А Н/А >0.5кс107Ω.км
ЭПД <1000cm>-2 <500cm>-2 <1x10>3км-2 <5x10>3км-2
ТТВ <12um>
СМЫЧОК <12um>
ИСКРИВЛЕНИЕ <15um>
Маркировка лазера по требованию
Финиш Суфасе П/Э, П/П
Эпи готовое да
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли

 

 

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнП – фосфид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) или ВГФ (вертикальным замораживанием градиента) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или полу-изолировать в различной ориентации (111) или (100).

Фосфид индия (InP) бинарный полупроводник составленный индия и фосфора. Он имеет кристаллическую структуру гранецентрированной кубической решетки («сфалерита цинка "), идентичную к этому из ГаАс и большему части из полупроводников ИИИ-В. Фосфид индия можно подготовить от реакции иодида белого фосфора и индия [нужного пояснения] на 400 °К., [5] также сразу сочетанием из очищенные элементы на высокой температуре и давлении, или термическим распадом смеси смеси и фосфида индия триалкыл. ИнП использован в высокомощной и высокочастотной электронике [нужной цитации] из-за своей главной скорости электрона по отношению к более общим полупроводникам кремнию и арсениду галлия.

Применение телекоммуникаций/Датаком

Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550 длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и 1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне (около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в ряд от 2-4 дюймов.

 

Применения являются следующими:

 

• Сети и центр данных компании

• Волокно к дому

• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г

• Спутниковая связь открытого космоса

Основные параметры

Поле нервного расстройства ≈5·105 см-1 в
Электроны подвижности ≤5400 км2В-1с-1
Отверстия подвижности км2 ≤200 В-1с-1
Электроны коэффициента диффузии км2 ≤130 с-1
Отверстия коэффициента диффузии км2 ≤5 с-1
Скорость восходящего потока теплого воздуха электрона 3,9·105 м с-1
Скорость восходящего потока теплого воздуха отверстия 1,7·105 м с-1

 

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.