Главная страница ПродукцияВафля фосфида индия

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймов

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймов

Iron Doped Indium Phosphide Wafer Prime Grade 4 Inch Wafer

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
лазерная маркировка: на запросе Тип кондукции: Семи изолирующ
Название продукта: Вафля субстрата фосфида индия Применение: 600±25ум
Вафля Дямтер: 4 дюйма Ключевое слово: вафля фосфида индия одиночного кристалла
Отделка Suface: П/Э, П/П Класс: Основная ранг
Высокий свет:

test grade wafer

,

epi ready wafer

Полу-изолирующ, Утюг-данный допинг субстрат фосфида индия, 4", воспламеняет ранг
 
Полу-изолирующ, субстрат фосфида индия, 4", воспламеняет ранг

4" спецификация вафли ИнП   
ДетальСпецификации
Тип кондукцииСИ типа
ДопантУтюг
Диаметр вафли4"
Ориентация вафли100±0.5°
Толщина вафли600±25ум
Основная плоская длина16±2мм
Вторичная плоская длина8±1мм
Концентрация несущей≤3кс1016км-3(0.8-6) кс1018км-3(0.6-6) кс1018км-3Н/А
Подвижность(3.5-4) кс103км2/В.с(1.5-3.5) кс103км2/В.с50-70км2/В.с>1000км2/В.с
РезистивностьН/АН/АН/А>0.5кс107Ω.км
ЭПД<1000cm>-2<1x10>3км-2<1x10>3км-2<5x10>3км-2
ТТВ<15um>
СМЫЧОК<15um>
ИСКРИВЛЕНИЕ<15um>
Маркировка лазерапо требованию
Финиш СуфасеП/Э, П/П
Эпи готовоеда
ПакетОдиночные контейнер или кассета вафли
 

Что вафля ИнП?
 

Фосфид индия семикондуктинг материальные подобные ГаАс и кремнию но много нишевый продукт. Он очень эффективен на начинать очень высокоскоростную обработку и дороже чем ГаАс из-за больших длин собрать и начать ингредиенты. Позвольте нам взглянуть на еще некоторые фактов о фосфиде индия по мере того как он пертайнс к вафле ИнП.

Оптически воспринимая применение

Спектроскопические воспринимая направляя охрана окружающей среды и идентификация опасных веществ
• Растущее поле воспринимает основало на режиме длины волны ИнП. Один пример для спектроскопии газа испытательное оборудование привода с измерением в реальном времени (КО, СО2, НОС [или НИКАКОЙ + НО2]).
• Быстрая проверка трассировок ядовитых веществ в газах и жидкостях (включая вода из крана) или загрязнений поверхности вниз к уровню ппб.
• Спектроскопия для управления без разрушения продукта например еды (раннее выявление избалованного продтовара)
• Спектроскопия для много романных применений, особенно в контроле за загрязнением воздуха обсуждается сегодня и вставки на пути.

 

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймовПодвижность Халл электрона против температуры для различный давать допинг выравнивает.
Нижняя кривая - но=Нд-На=8·1017 км-3;
Средняя кривая - но=2·1015 км-3;
Верхняя кривая - но=3·1013 км-3.
(Разегхи и др. [1988]) и (  Валукиевич   и др. [1980]).
Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймовПодвижность Халл электрона против температуры (высоких температур):
Нижняя кривая - но=Нд-На~3·1017 км-3;
Средняя кривая - но~1.5·1016 км-3;
Верхняя кривая - но~3·1015 км-3.
(Галаванов и Сюкаэв [1970]).

Для слабо данного допинг н-ИнП на температурах близко к подвижности дрейфа электронов 300 к:

µн = (4.2÷5.4)·103·(300/Т) (км2В-1 с-1)

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймовПодвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации.
θ = На/Нд, К. 77.
Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8;
(    Валукиевич и др. [1980]).
Сплошная линия значения середины наблюдаемые (    Андерсона и др. [1985]).
Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймовПодвижность Халл против концентрации электрона для различных коэффициентов компенсации
θ =На/Нд, К. 300.
Штриховые кривые теоретические расчеты: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8;
(    Валукиевич и др. [1980]).
Сплошная линия значения середины наблюдаемые (    Андерсона и др. [1985]).

Приблизительная формула для подвижности Халл электрона

Μ=ΜОХ/[1+ (Нд/107) 1/2],
где ΜОХ=5000 км2В-1 с-1,
Нд в км-3 (Хильсум [1974])
На 300 к, фактор рн≈1 Халл электрона в н-ИнП.
для Нд > 1015 км-3.

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймовПродырявьте подвижность Халл против температуры для различных давая допинг уровней (Зн).
Концентрация отверстия на 300 к: 1. 1,75·1018 км-3; 2. 3,6·1017 км-3; 3. 4,4·1016 км-3.
θ=На/Нд~0.1.
(    Коханюк и др. [1988]).

Для слабо данного допинг п-ИнП на температуре близко к 300 к подвижность Халл

µпХ~150·(300/Т) 2,2 (км2В-1 с-1).

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймовПодвижность Халл отверстия против плотности дырки, 300 к (Вилей [1975]).
Приблизительная формула для подвижности Халл отверстия:
µп=µпо/[1 + (На/2·1017) 1/2], где µпо~150 км2В-1 с-1, на в км-3

На 300 к, фактор отверстия в чистом п-ИнП: рп~1
 
ПАМ-СИАМЭН изготовляет вафли фосфида индия одиночного кристалла особой чистоты для применений оптической электроники. Наши стандартные диаметры вафли выстраивают в ряд от 25,4 мм (1 дюйма) до 200 мм (6 дюймов) в размере; вафли можно произвести в различных толщинах и ориентациях с отполированными или уньполишед сторонами и могут включить допанц. ПАМ-СИАМЭН может произвести ранги широкого диапазона: основная ранг, ранг теста, фиктивная ранг, техническая ранг, и оптически ранг. ПАМ-СИАМЭН также предлагают материалы к спецификациям клиента запросом, в дополнение к изготовленным на заказ составам для применений рекламы и исследования и новых собственнических технологий.
 
Обслуживание
 
консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.
Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.
После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.
 
Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.
Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.
Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.
Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.