Главная страница ПродукцияВафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

4 Inch Indium Phosphide Wafer P Type Test Grade InP Epi Ready Wafer

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Ключевое слово: Вафля фосфида индия ИнП Название продукта: П печатает вафлю ИнП
Тип кондукции: Тип п Вафля Дямтер: 4"
Толщина вафли: 350±25ум Класс: Ранг теста
Основная плоская длина: 16±2мм warp: <15um>
Высокий свет:

inp wafer

,

epi ready wafer

П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста - производство вафли ИнП
 
Пожалуйста свяжитесь наша команда инженера для больше данных по вафли.
П печатает, вафля фосфида индия, 4", ранг теста

4" спецификация вафли ИнП      
Деталь Спецификации
Тип кондукции П типа
Допант Цинк
Диаметр вафли 4"
Ориентация вафли 100±0.5°
Толщина вафли 600±25ум
Основная плоская длина 16±2мм
Вторичная плоская длина 8±1мм
Концентрация несущей ≤3кс1016км-3 (0.8-6) кс1018км-3 (0.6-6) кс1018км-3 Н/А
Подвижность (3.5-4) кс103км2/В.с (1.5-3.5) кс103км2/В.с 50-70км2/В.с >1000км2/В.с
Резистивность Н/А Н/А Н/А >0.5кс107Ω.км
ЭПД <1000cm>-2 <1x10>3км-2 <1x10>3км-2 <5x10>3км-2
ТТВ <15um>
СМЫЧОК <15um>
ИСКРИВЛЕНИЕ <15um>
Маркировка лазера по требованию
Финиш Суфасе П/Э, П/П
Эпи готовое да
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли
 

Факты фосфида индия

  • Молекулярный вес: 145,792 г/мол
  • Точка плавления: °К 1062 (°Ф 1943,6)
  • Его можно использовать для виртуально любого электронного устройства которое требует быстрого хода или наивысшей мощности.
  • Оно имеет один из длинн-живых оптически фононов сколько угодно смеси с кристаллической структурой зинкбленде.
  • ИнП самый важный материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме.
  • Фосфид индия (InP) включает фосфор и индий и бинарный полупроводник.
  • Он имеет кристаллическую структуру зинкбленде подобную ГаАс и почти всем полупроводникам ИИИ-В.
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов в ИнП, К. 300.
Твердая кривая теоретический расчет.
Брошенный и точечная пунктирная кривая измеренные данные.
(Малоней и Фрей [1977]) и (  Гонцалез Санчез и др. [1992]).
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Зависимость поля скорости дрейфа электронов для сильных электрических полей.
Т (К): 1. 95; 2. 300; 3. 400.
(    Виндхорн и др. [1983]).
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Фиельд зависимость скорости дрейфа электронов на различных температурах.
Изогните 1 -77 к (    Гонцалез Санчез и др. [1992]).
Кривая 2 до 300 к, изогните 3 - 500 к (Фавсетт и Холм [1975]).
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Электронная температура против электрического поля для К. 77 к и 300.
(Малоней и Фрей [1977])
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Часть электронов в долинах нЛ/но и нС/но л и кс как функция электрического поля, К. 300.
(Бородовскии и Осадчии [1987]).
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Зависимость частоты η эффективности вначале (сплошная линия) и на второй (гармонике брошенной линии) в режиме ЛСА.
Симуляция Монте-Карло.
Ф = Фо + Ф1·грех (2π·фт) + Ф2·[грех (4π·фт) +3π/2],
См-1 Фо=Ф1=35 кВ,
См-1 Ф2=10.5 кВ
(Бородовскии и Осадчии [1987]).
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на К. 300.
Симуляция Монте-Карло ансамбля.
(Айшима и Фукусима [1983]).
Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая Продольный (д || Ф) и поперечные (⊥ ф д) коэффициенты диффузии электронов на 77К.
Симуляция Монте-Карло ансамбля.
(Айшима и Фукусима [1983]).
 

Применения являются следующими:

 

• Соединения с беспроводными базовыми станциями 3Г, ЛТЭ и 5Г
• Спутниковая связь открытого космоса
• Соединения стекловолокна долгого пути над большим расстоянием до 5000 км типично >10 Тбит/с
• Сети доступа кольца метро

 

Применение телекоммуникаций/Датаком

Фосфид индия (InP) использован для произведения эффективных лазеров, чувствительных фотодетекторов и модуляторов/демодулятор в окне длины волны типично используемом для радиосвязей, т.е., 1550 длин волны нм, по мере того как сразу материал сложного полупроводника бандгап ИИИ-В. Длина волны между около 1510 нм и 1600 нм имеет самую низкую амортизацию доступную на стекловолокне (около 0,26 дБ/км). ИнП обыкновенно используемый материал для поколения сигналов лазера и обнаружения и преобразования тех сигналов назад к электронной форме. Диаметры вафли выстраивают в ряд от 2-4 дюймов.

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

 

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.