Главная страница ПродукцияВафля КдЗнТе

Вафля КдЗнТе полупроводника для компонентов Опитикал транзисторов диодов

Вафля КдЗнТе полупроводника для компонентов Опитикал транзисторов диодов

Semiconductor CdZnTe Wafer For Diodes Transistors Opitical Components

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Метод роста: ВГФ Вафля Дямтер: 2, 3,4 & 6
Толщина: 200~550 Допант: Галлий или сурьма
О: ЭДЖ или США Тип кондукции: н типа, тип п, ундопед
Электронная ранг: Использованный для диодов и транзисторов лазерная маркировка: на запросе
Высокий свет:

semiconductor silicon wafer

,

germanium wafer

Субстрат КдЗнТе полупроводника используемый для диодов и транзисторов, окна инфракрасн оптически или дисков, компонентов Опитикал

Характер продукции

Вафля германия одиночного кристалла (Ге)

Материалы полупроводника ПАМ-СИАМЭНофферс, кристаллы и вафли Ге, который (германия) одиночные выросло ВГФ/ЛЭК

 

Применение:

 

Пробел или окно германия использованы в ночном видении и термографик решениях воображения для коммерчески контрольного оборудования безопасностью, противопожарным и промышленными. Также, они использованы как фильтры для аналитического и измерительного оборудования, окон для удаленного измерения температуры, и зеркал для лазеров.

Тонкие субстраты германия использованы в фотоэлементах тройн-соединения ИИИ-В и для сконцентрированных силой систем ПВ (КПВ).

 

Общие свойства вафли германия

Общая структура свойств Кубический, а = 5,6754 Å
Плотность: 5,765 г/км3
Точка плавления: 937,4 оК
Термальная проводимость: 640
Технология выращивания кристаллов Кзокральски
Давать допинг доступный Ундопед Давать допинг Сб Давать допинг внутри или Га
Проводной тип / Н П
Резистивность, охм.км >35 < 0=""> 0,05 до 0,1
ЭПД < 5=""> < 5=""> < 5="">
< 5=""> < 5=""> < 5="">

 

Ранги и применение вафли германия

Электронная ранг Использованный для диодов и транзисторов,
Ультракрасная или опитикал ранг Использованный для окна или дисков инфракрасн оптически, опитикал компоненты
Ранг клетки Использованный для субстратов фотоэлемента

Стандартные спецификации германия Кристл и вафли

Ориентировка кристаллов <111>, <100> и <110> ± 0.5о или изготовленная на заказ ориентация
Кристаллический боуле как выросли 1 ″ | диаметр кс 6 ″ длина 200 мм
Стандартный пробел как отрезано 1 ″ кс 0.5мм 2 ″ кс0.6мм 4 ″ кс0.7мм 5 ″ кс0.8мм ″ &6
Стандартная отполированная вафля (одно/2 отполированной стороны) 1 ″ кс 0,30 мм 2 ″ кс0.5мм 4 ″ кс0.5мм 5 ″ кс0.6мм ″ &6

Особенные размер и ориентация доступны на спрошенных вафлях

Спецификация вафли германия

Деталь Спецификации Примечания
Метод роста ВГФ  
Тип кондукции н типа, тип п, ундопед  
Допант Галлий или сурьма  
Вафля Дямтер 2, 3,4 & 6 дюйм
Ориентировка кристаллов (100), (111), (110)  
Толщина 200~550 ум
ЭДЖ или США  
Концентрация несущей запрос на клиентах  
Резистивность на РТ (0.001~80) Охм.км
Плотность ямы травления <5000> /cm2
Маркировка лазера по требованию  
Поверхностный финиш П/Э или П/П  
Эпи готовое Да  
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли  
спецификация вафли 4 Ге дюйма для фотоэлементов
Давать допинг П  
Давать допинг веществам Ге-Га  
Диаметр 100±0.25 мм  
Ориентация (100) 9° к <111>+/--0,5
угол наклона -ориентации Н/А  
Основная плоская ориентация Н/А  
Основная плоская длина 32±1 мм
Вторичная плоская ориентация Н/А  
Вторичная плоская длина Н/А мм
кк (0.26-2.24) Э18 /c.c
Резистивность (0.74-2.81) Э-2 охм.км
Подвижность электрона 382-865 км2/в.с.
ЭПД <300> /cm2
Лазер Марк Н/А  
Толщина 175±10 μм
ТТВ <15 μм
ТИР Н/А μм
СМЫЧОК <10> μм
Искривление <10 μм
Передняя грань Отполированный  
Задняя сторона Земля  

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

 

Процесс вафли германия

В производственном процессе вафли германия, двуокись германия от обработки выпарки более добавочно очищена в шагах хлорирования и гидролиза.

1 ) Германий особой чистоты получен во время рафинировки зоны.

2) Кристалл германия произведен через процесс Кзокральски.

3) Вафля германия изготовлена через несколько вырезывание, меля, и вытравляя шаги.

4) Очищены вафли и осмотр. Во время этого процесса, вафли одиночная отполированная сторона или двойная сторона отполированное в соответствии с обычаем требование, епи-готовая вафля приходит.

5) Вафли упакованы в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота.

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободными связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.