Главная страница Продукцияантимонид галлия

Вафля антимонида галлия ГаСб полупроводника 2 толщина ранга 500±25ум теста дюйма

Вафля антимонида галлия ГаСб полупроводника 2 толщина ранга 500±25ум теста дюйма

Semiconductor GaSb Gallium Antimonide Wafer 2 Inch Test Grade 500±25um Thickness

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Название продукта: Вафля ГаСб Другое имя: П печатает вафлю антимонида галлия
Функция: Ранг теста Допант: цинка
Толщина вафли: 500±25ум Диаметр вафли: 2"
warp: <12um> смычок: <10um>
Высокий свет:

2 inch wafer

,

4 inch wafer

П печатает, вафля ГаСб (антимонида галлия), 2", ранг теста - производство вафли полупроводника
 
2" спецификация вафли ГаСб

Деталь Спецификации
Допант Цинк
Тип кондукции П типа
Диаметр вафли 2"
Ориентация вафли (100) ±0.5°
Толщина вафли 500±25ум
Основная плоская длина 16±2мм
Вторичная плоская длина 8±1мм
Концентрация несущей (5-100) кс1017км-3
Подвижность 200-500км2/В.с
ЭПД <2x10>3км-2
ТТВ <10um>
СМЫЧОК <10um>
ИСКРИВЛЕНИЕ <12um>
Маркировка лазера по требованию
Финиш Суфасе П/Э, П/П
Эпи готовое да
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ГаСб включает основные параметры, температуру, зависимость, зависимость перепада энергии на гидростатическом давлении, эффективные массы, дарителей и акцепторы

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

 

Основные параметры

Перепад энергии 0,726 еВ
Разъединение энергии (ЭΓЛ) между Γ и л долинами 0,084 еВ
Разъединение энергии (ЭΓС) между долинами Γ и кс 0,31 еВ
Разделять энергии закрутк-орбитальный 0,80 еВ
Концентрация внутреннеприсущей несущей 1,5·1012 км-3
Внутреннеприсущая резистивность 103 Ω·см
Эффективная плотность зоны проводимости государств 2,1·1017 км-3
Эффективная плотность валентной полосы государств 1,8·1019 км-3

 

Вафля антимонида галлия ГаСб полупроводника 2 толщина ранга 500±25ум теста дюйма Концентрация лентообразной структуры и несущей ГаСб. 300 к
Например = 0,726 еВ
ЭЛ = 0,81 еВ
БЫВШЕЕ = еВ 1,03
Эсо = 0,8 еВ

Энергии ионизацией мелких дарителей (еВ)

Те (л) Те (кс) Се (л) Се (кс) С (Л) С (С)
~0,02 ≤0.08 ~0,05 ~0,23 ~0,15 ~0,30

Для типичной оказывающей экономическую помощь концентрации Нд≥ 1017 км-3 мелкие оказывающие экономическую помощь государства соединенные с Γ-долиной не появились.

Энергии ионизацией мелких акцепторов (еВ):

Кажется, что будет доминантный акцептор ундопед ГаСб родным дефектом.
Этот акцептор двойн ионизабле

Эа1 Эа2 Си Ге Зн
0,03 0,1 ~0,01 ~0,009 ~0,037

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.