Главная страница ПродукцияВафля антимонида индия

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии

Prime Grade InSb Wafer 3 Inch Undoped For Infrared Astronomy N Type

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Название продукта: Вафля субстрата антимонида индия Вафля Дямтер: 3 дюйма
Класс: Основная ранг Функция: Ундопед вафля ИнСб
Толщина вафли: 3 ″ 800ор900±25ум Ключевое слово: Вафля ИнСб антимонида индия
Высокий свет:

as cut wafer

,

insb wafer

Ундопед, субстрат антимонида индия, 3", основная ранг

 

Ундопед, субстрат антимонида индия, 3", основная ранг

 

Спецификация вафли
Деталь Спецификации
Диаметр вафли

 

3 ″ 76.2±0.4мм
 

Ориентировка кристаллов

 

″ 3 (111) АорБ±0.1°

Толщина

 

3 ″ 800ор900±25ум
 

Основная плоская длина

 

3 ″ 22±2мм
 

Вторичная плоская длина

 

3 ″ 11±1мм
 

Поверхностный финиш П/Э, П/П
Пакет Эпи-готовые, одиночные контейнер вафли или кассета КФ

 

Электрический и дающ допинг спецификации
Тип кондукции н типа
Допант Ундопед
См-2 ЭПД ≤50
² В-1с-1 см подвижности ≥4*105
Концентрация несущей км-3 5*1013-3*1014

Электрические свойства вафли ИнСб

Концентрация лентообразной структуры и несущей вафли ИнСб включает основные параметры, подвижность и эффект Холла, свойства перехода в сильных электрических полях, ионизации удара
, Параметры рекомбинации

 

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафлю ИнСб – антимонид индия которое растется ЛЭК (Кзокральски помещенным жидкостью) как епи-готовая или механическая ранг с типом н, типом п или ундопед в различной ориентации (111) или (100). Антимонид индия (ИнСб) кристаллическая смесь сделанная из индия (In) элементов и сурьмы (Сб). Материал полупроводника узк-зазора от группы ИИИ-В используемой в ультракрасных детекторах, включая камеры термического изображения, системы ФЛИР, ультракрасные системы наведения ракеты с системой самонаведения, и в ультракрасной астрономии. Детекторы антимонида индия чувствительны между 1-5 длинами волны µм.

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

Основные параметры

Поле нервного расстройства См-1 ≈103 в
Электроны подвижности ≤7.7·104 км2В-1с-1
Отверстия подвижности ≤850 км2В-1с-1
Электроны коэффициента диффузии ≤2·103 км2с-1
Отверстия коэффициента диффузии ≤22 км2с-1
Скорость восходящего потока теплого воздуха электрона 9,8·105 м с-1
Скорость восходящего потока теплого воздуха отверстия 1,8·105 м с-1

Подвижность и эффект Холла

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии

Подвижность Халл электрона против температуры для различных давая допинг уровней и различных коэффициентов компенсации

Кривая Нд (км-3) θ = На/Нд
1. 3,85·1014 0,5
2. 8,5·1014 0,88
3. 9,5·1014 0,98
4. 1,35·1015 0,99

 

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Подвижность электрона против температуры (высоких температур).
Сплошная линия теоретический расчет для подвижности дрейфа электронов.
Экспериментальные данные подвижности Халл.
 

 

 

 

Максимал подвижность электрона для чистого н-ИнСб
77 к 1,2·106 км2В-1с-1
300 к 7,7·104 км2В-1с-1
Максимал подвижность электрона для ИнСб, который выросли на субстрате ГаАс
77К 1,5·105 км2В-1с-1 (но= 2,2·1015 км-3)
300 к 7,0·104 км2В-1с-1 (но= 2,0·1016 км-3)
Максимал подвижность электрона для ИнСб, который выросли на субстрате ИнП
77 к 1,1·105 км2В-1с-1
300 к 7,0·104 км2В-1с-1

 

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Продырявьте подвижность Халл против температуры для различной концентрации отверстия.
по (км-3):
1. 8·1014;
2. 3,15·1018;
3. 2,5·1019;
 

 

Ионизация удара

 

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Зависимость тарифа поколения для электронов нь против электрического поля ф, 300 к
 

Для 300 к, для 30 В/км < F="">

нь (ф) = 126·Ф2експ (Ф/160) (с-1),

где ф в см-1 в.

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Зависимость тарифа поколения для электронов нь против электрического поля ф, 77 к
 
Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Зависимость ионизации классифицирует для αи электронов против электрического поля ф, Т=78 к
 
Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Зависимость тарифа поколения для гп отверстий против электрического поля ф, т =77К
 

Параметры рекомбинации

Для чистого ИнСб на продолжительности жизни Т≥250К несущей (электроны и отверстия) определяет рекомбинацией сверла:
τн = τп ≈1/К ни2,
где К≈5·10-26 км-6 с-1 коэффициент сверла.
ни концентрация внутреннеприсущей несущей.

Для т = 300 к τн = τп≈5·10-8 с
Для т = 77К
н типа: продолжительность жизни отверстий τп | 10-6 с
п типа: продолжительность жизни электронов τн | 10-10 с

 

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Зависимость температуры поверхностной скорости рекомбинации для п-ИнСб.
 
Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии Зависимость температуры поверхностной скорости рекомбинации для н-ИнСб.
 

 

Радиационный коэффициент рекомбинации ~5·10-11 км3с-1
Коэффициент сверла ~5·10-26 км6с-1

Вы ищете вафля ИнСб?

ПАМ-СИАМЭН ваше идти-к месту для всего вафли, включая вафли ИнСб, по мере того как мы делаем его на почти 30 лет! Запросите нас сегодня для того чтобы выучить больше о вафлях которые мы предлагаем и как мы можем помочь вам с вашим следующим проектом. Наша команда группы смотрит вперед к обеспечивать и качественные продучты и превосходное обслуживание для вас!

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.