Главная страница Продукциявафля арсенида индия

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая

4 Inch InAs Wafer Prime Grade P Type Zinc Dopant Mechanical Grade

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Название продукта: Основная вафля ИнАс ранга Тип кондукции: Тип п
Толщина вафли: 900±25ум Вафля Дямтер: 4 дюйма
Класс: Основная ранг Ключевое слово: Вафля ИнАс арсенида индия
EPD: <3x104cm-2> смычок: <15um>
Высокий свет:

n type wafer

,

3 inch wafer

П печатает, вафля ИнАс (арсенида индия), 4", основная ранг
 
4" спецификация вафли ИнАс

Деталь Спецификации
Допант Цинк
Тип кондукции П типа
Диаметр вафли 4"
Ориентация вафли (100) ±0.5°
Толщина вафли 900±25ум
Основная плоская длина 16±2мм
Вторичная плоская длина 8±1мм
Концентрация несущей (1-10) кс1017км-3
Подвижность 100-400км2/В.с
ЭПД <3x10>4км-2
ТТВ <15um>
СМЫЧОК <15um>
ИСКРИВЛЕНИЕ <20um>
Маркировка лазера по требованию
Финиш Суфасе П/Э, П/П
Эпи готовое да
Пакет Одиночные контейнер или кассета вафли

Термальные свойства вафли ИнАс

Модуль основной массы 5,8·1011 см-2 дын
Точка плавления °К 942
Специфическая жара 0,25 дж г-1 °К-1
Термальная проводимость 0,27 см-1 °К-1 в
Термальная диффузорность 0,19 км2с-1
Тепловое расширение, линейное 4,52·10-6 °К-1

 

 

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(низкая температура)
 
Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(высокая температура)
 
Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры коэффициента Нернст (поперечное влияние нернст-Эттинхаузен)
Концентрация электрона на 77К
никакой (км-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019.
 

Точка плавления Тм = К. 1215.
Давление насыщенного пара (в паскалях):

для 950 к - 2·10-3,
для 1000 к - 10-2,
для 1050 к - 10-1.

Термальные свойства вафли ИнАс

Модуль основной массы 5,8·1011 см-2 дын
Точка плавления °К 942
Специфическая жара 0,25 дж г-1 °К-1
Термальная проводимость 0,27 см-1 °К-1 в
Термальная диффузорность 0,19 км2с-1
Тепловое расширение, линейное 4,52·10-6 °К-1

 

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая

Зависимость температуры термальной проводимости.
н типа образец, никакой (км-3): 1. 1,6·1016; 2. 2,0·1017;
п типа образец, по (км-3): 3. 2,0·1017.
 

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры термальной проводимости для высоких температур
Концентрация электрона
никакой (км-3): 1. 5·1016; 2. 2·1016; 3. 3·1016.
Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры специфической жары на давлении постоянного
 

Для 298К < T="">

Кп= 0,240 + 3,97·10-5·Т (дж г-1°К -1).

 

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(низкая температура)
 
Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры линейного коэффициента расширения
(высокая температура)
 
Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая Зависимость температуры коэффициента Нернст (поперечного влияния нернст-Эттинхаузен)
Концентрация электрона на 77К
никакой (км-3): 1. 2,96·1016; 2. 4,46·1016; 3. 8,43·1016; 4. 4,53·1017; 5. 1,56·1018; 6. 2,28·1018; 7. 5·1018; 8. 1,68·1019.
 

Точка плавления Тм = К. 1215.
Давление насыщенного пара (в паскалях):

для 950 к - 2·10-3,
для 1000 к - 10-2,
для 1050 к - 10-1.

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.