Главная страница ПродукцияВафля арсенида галлия

Тип н механической ранга субстрата арсенида галлия 6 дюймов высокоомный

Тип н механической ранга субстрата арсенида галлия 6 дюймов высокоомный

6 Inch Gallium Arsenide Substrate Mechanical Grade High Resistance N Type

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Название продукта: вафля гаас Вафля Дямтер: 6 дюймов
Тип кондукции: Полу-изолировать Класс: Механическая ранг
Использование: Микроэлектроника Ключевое слово: Вафля арсенида галлия
Высокий свет:

n type silicon wafer

,

p type silicon wafer

Полу-изолирующ, субстрат арсенида галлия, 6", механическая ранг

 

 

(6 вафель арсенида галлия ″ (150мм) (ГаАс), Полу-изолируя для применений микроэлектроники

Деталь Спецификации Примечания
Тип кондукции

 

Полу-изолировать

 
Метод роста ВГФ  
Допант Ундопед  
Тип Н  
Дяматер (мм) 150±0.25  
Ориентация

 

(100) 0°±3.0°

 
Ориентация ЗАЗУБРИНЫ (010) ±2°  
ЗАЗУБРИНА Деептх (мм) (1-1.25) мм 89°-95°  
Концентрация несущей

 

Н/А

 
Резистивность (охм.км >1.0×107 или 0.8-9 кс10-3  
Подвижность (км2/в.с) Н/А  
Вывихивание

 

Н/А

 
Толщина (µм)

 

675±25

 
Исключение края для смычка и искривления (мм) Н/А  
Смычок (µм) Н/А  
Искривление (µм)

 

≤20.0

 
ТТВ (µм) ≤10.0  
ТИР (µм) ≤10.0  
ЛФПД (µм)

 

Н/А

 
Полировать П/П Эпи-готовое  

 

Свойства ГаАс Кристл

Свойства ГаАс
Атомс/км3 4,42 кс 1022
Атомный вес 144,63
Поле нервного расстройства приблизительно 4 кс 105
Кристаллическая структура Зинкбленде
Плотность (г/км3) 5,32
Диэлектрическая константа 13,1
Эффективная плотность состояний в зоне проводимости, Нк (см-3) 4,7 кс 1017
Эффективная плотность состояний в валентной полосе, Нв (см-3) 7,0 кс 1018
Сродство к электрону (в) 4,07
Перепад энергии на 300К (еВ) 1,424
Концентрация внутреннеприсущей несущей (см-3) 1,79 кс 106
Внутреннеприсущая длина Дебе (микроны) 2250
Внутреннеприсущая резистивность (ом-см) 108
Константа решетки (ангстромы) 5,6533
Линейный коэффициент теплового расширения, 6,86 кс 10-6
ΔЛ/Л/ΔТ (1 ДЕГ К)
Точка плавления (ДЕГ К) 1238
Продолжительность жизни несущей меньшинства (с) приблизительно 10-8
Подвижность (смещение) 8500
(см2/В-с)
µн, электроны
Подвижность (смещение) 400
(см2/В-с)
µп, отверстия
Оптически энергия (eV) фонона 0,035
Длина свободного пути фонона средняя (ангстромы) 58
Специфическая жара 0,35
(Дж/г-дег к)
Термальная проводимость на 300 к 0,46
(В/км-дегК)
Термальная диффузорность (см2/сек) 0,24
Давление пара (Pa) 100 на 1050 ДЕГ К;
1 на 900 ДЕГ К

 

 

 

Что вафля ГаАс?

 

Вафля ГаАс важный материал семикондукор. Она принадлежит для того чтобы собрать сложный полупроводник ИИИ-В. Тип решетчатая структура сфалерита с константой решетки 5.65кс 10-10м, точки плавления ℃ 1237 и зазора диапазона 1,4 ЭВ. Арсенид галлия можно сделать в семи изолировать высокоомные материалы с резистивностью более высоко чем кремний и германий больше чем 3 порядками величины, могущие понадобиться для того чтобы сделать субстрат интегральной схемаы, ультракрасный детектор, детектор фотона γ, етк. потому что своя подвижность электрона 5-6 раз больше чем это из кремния, оно широко был использован в приборах микроволны и высокоскоростных вычислительных цепях. Полупроводниковое устройство сделанное ГаАс имеет преимущества сопротивления частоты коротковолнового диапазона, высокотемпературных и низких температуры, малошумных и сильных радиации. К тому же, его можно также использовать для того чтобы сделать приборы оптового влияния.

 

Что механические свойства, упругие постоянные, вибрации решетки вафли ГаАс?

Основной параметр

Модуль основной массы 7,53·1011 см-2 дын
Плотность 5,317 г км-3
Твердость в масштабе Мохс между 4 и 5
Поверхностный микрохарднесс (используя тест пирамиды Кнооп) 750 кг мм-2
Плоскость излома {110}
Пьезоэлектрическая константа е14=-0.16 к м-2

К. упругих постоянных 300.

К11=11.90·1011 дын/км2
К12=5.34·1011 дын/км2
К44=5.96·1011 дын/км2

Тип н механической ранга субстрата арсенида галлия 6 дюймов высокоомный Зависимость температуры упругих постоянных.
На 0 К11= 12,17 до 1,44·10-3Т
К12= 5,46 до 0,64·10-3Т
К44= 6,16 до 0,70·10-3Т
 

Для т = 300 к

Модуль основной массы (компрессибилиты-1) Бс= 7,53·1011дын/км2
Модуль ножниц К'= 3,285·1011дын/км2
[100] Йоунг модуль Йо= 8,59·1011дын/км2
[100] коэффициент Поиссон σо = 0,31

Скорости акустической волны

Волна
распространение
Направление
Волна
характер
Выражение для скорости волны Скорость волны
(в блоках
105 км/с)
[100] ВЛ (К11/ρ) 1/2 4,73
ВТ (К44/ρ) 1/2 3,35
[110] Вл [(К11+Кл2+2К44)/2ρ] 1/2 5,24
Вт|| Вт||=ВТ= (К44/ρ) 1/2 3,35
Вт⊥ [(К11-К12)/2ρ] 1/2 2,48
[111] Вл [(К11+2К12+4К44)/3ρ] 1/2 5,4
Вт [(К11-К12+К44)/3ρ] 1/2 2,8

Частоты фонона

(в блоках 1012 Хз)

νТО (Γ) 8,02 νЛО (кс) 7,22
νЛО (Γ) 8,55 νТА (л) 1,86
νТА (кс) 2,36 νЛА (л) 6,26
νЛА (кс) 6,80 νТО (л) 7,84
νТО (кс) 7,56 νЛО (л) 7,15

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.