Главная страница ПродукцияВафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

6H N Type SiC Wafer Dummy Grade C 0001 Bulk Crystal Growth <50 Arcsec FWHM

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Класс: Фиктивная ранг имя: тип вафля 6Х н СИК
Применение: исследователь Описание: вафля кремниевого карбида полупроводника
Размер: 10mm x 10mm Ключевые слова: вафля сик
Диаметр: (50,8 ± 0,38) мм Допант: Азот
Высокий свет:

4h sic wafer

,

sic wafer

Тип вафля к (0001) 6Х н СиК, фиктивная ранг, 10мм кс 10мм

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

Полытыпе Одиночное Кристл 4Х Одиночное Кристл 6Х
Параметры решетки а=3.076 Å а=3.073 Å
  к=10.053 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Диапазон-зазор еВ 3,26 еВ 3,03
Плотность 3,21 · 103 кг/м3 3,21 · 103 кг/м3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс рефракции отсутствие = 2,719 отсутствие = 2,707
  не = 2,777 не = 2,755
Диэлектрическая константа 9,6 9,66
Термальная проводимость 490 В/мК 490 В/мК
Поле нервного расстройства электрическое 2-4 · 108 В/м 2-4 · 108 В/м
Дрейфовая скорость сатурации 2,0 · 105 м/с 2,0 · 105 м/с
Подвижность электрона 800 км2/В·С 400 км2/В·С
дырочная подвижность 115 км2/В·С 90 км2/В·С
Твердость Мохс ~9 ~9

 

тип вафля 6Х н СиК, фиктивная ранг, 10мм кс 10мм

СВОЙСТВО СУБСТРАТА С6Х-51-Н-ПВАМ-330 С6Х-51-Н-ПВАМ-430
Описание Фиктивный субстратхСиК ранга 6
Полытыпе
Диаметр (50,8 ± 0,38) мм
Толщина (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25)
Тип несущей н типа
Допант Азот
Резистивность (RT) 0,012 до 0,0028 Ω·см
Шероховатость поверхности < 0="">
ФВХМ <50 arcsec="">
Плотность Микропипе А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2
Поверхностная ориентация  
На оси <0001>± 0.5°
С оси 4°ор 8° к <11-20>± 0.5°
Основная плоская ориентация ± 5° параллели {1-100}
Основная плоская длина ± 16,00 1,70) мм
Вторичная плоская ориентация Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского
К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского
Вторичная плоская длина ± 8,00 1,70 мм
Поверхностный финиш Одиночная или двойная отполированная сторона
Упаковка Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли
Годная к употреблению область ≥ 90%
Исключение края 1 мм

 

ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли кремниевого карбида полупроводника, 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали технологический прочесс технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК кристаллической, установленный производственной линии к изготовителю СиКсубстрате, который приложен в ГаНепитаксйдевисе, повердевисес, высокотемпературном приборе и электронно-оптических приборах. По мере того как профессиональная компания проинвестированная ведущими изготовителями от полей предварительных и высокотехнологичных материальных институтов исследования и государства и лаборатории полупроводника Китая, мы посвящена непрерывно для того чтобы улучшить качество в настоящее время субстратов и начать крупноразмерные субстраты.

 

Выращивание кристаллов СиК

Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.

 

Системы СиК МикроЭлектромечаникал (МЭМС) и датчики

 

Для применений требуя высокой температуры, электроника СиК низко-утечки не возможная с слоями депозированными на кремнии (включая высокотемпературные транзисторы, как обсуждено в разделе 5.6.2), концепциями СиК для интегрировать очень более способную электронику с МЭМС на вафлях 4Х/6Х СиК с эпислоями также была предложена. Например, датчики давления будучи превращанными для пользы в более высоких регионах температуры реактивных двигателей снабжены в 6Х-СиК, в большинстве вследствие факта что необходима, что достигает низкая утечка соединения свойственной деятельности датчика. На-обломок 4Х/6Х интегрировал электронику транзистора который полезно включает формирование сигнала на высокотемпературном воспринимая месте также превращается. Со всеми микромечаникал основанными на датчиками, жизненно важно упаковать датчик некоторым образом который уменьшает верстку термомеханикомагнитных наведенных стрессов (которые возникают вследствие коэффициента теплового расширения рассогласовывают над гораздо больше пядями температуры позволенными СиК) на чувствительные элементы. Поэтому (как упомянуто ранее в разделе 5.5.6), предварительная упаковка почти как критическая как польза СиК к полезно расширять рабочий конверт МЭМС в жестких окружающих средах.

 

Как обсуждено в разделе 5.3.1, основное применение датчиков жестк-окружающей среды СиК позволить активные контроль и контроль систем двигателя внутреннего сгорания улучшить топливную экономичность пока уменьшающ загрязнение. К этому концу, возможности СиК высокотемпературные включили осуществление структур датчика газа каталитического прототипа металл-СиК и металл-изолятор-СиК с большим обещанием для применений контроля излучения и обнаружения утечки топливной системы. Высокотемпературная деятельность этих структур, не возможная с кремнием, включает быстрое обнаружение изменений в содержании водопода и углерода к чувствительностям частей в миллион в очень размером с небольш датчиках которые смогли легко быть помещены малозаметно на двигателе без потребности для охлаждать. Однако, более дополнительные улучшения к надежности, воспроизводимости, и цене СиК основанных на датчиков газа необходимы перед этими системами будут готовы для широко распространенной пользы в автомобилях и воздушных судн потребителя. Вообще, этим же можно сказать для большинств СиК МЭМС, который не достигнет широко распространенного полезного ввода системы до тех пор пока высокая надежность в жестких окружающих средах не будет уверена через более дальнеишую разработку технологий.

 

О нас

 

Ответственность обеспечение качества, и качество жизнь корпорации. Мы смотрим вперед к долгосрочному сотрудничеству с клиентами, мы сделаем самое лучшее обслуживание и обслуживаний после продажи для всего из наших клиентов. Если вы имеете любое дознание, то пожалуйста не смутитесь связаться мы. Мы ответим вы на в первый раз по мере того как мы можем.

 

После лет развития, мы устанавливали идеальную сеть продаж и интегрированную систему обслуживания после-продажи на отечественном и за рубежом, которое позволяет компания обеспечить своевременные, точные и эффективные обслуживания, и выигрывали хорошие репутации клиента. Продукты проданы повсюду в Китае и экспортированы до больше чем 30 страны и регионов как Европа, Америка, Юго-Восточная Азия, Южная Америка, Ближний Восток и Африка. Продукция, объемов продажи и масштаб все выстроили в ряд сперва в такой же индустрии.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.