Главная страница ПродукцияВафля кремниевого карбида

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

On Axis Sic Silicon Carbide Wafer 4 Deg Off 4H N Type Production Grade

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Класс: Производство имя: вафля кремниевого карбида полупроводника
Применение: исследователь Описание: Вафля кремниевого карбида СИК
Размер: 10mm x 10mm Ключевые слова: вафля сик
Резистивность (RT): 0,012 до 0,0028 Ω·см Вторичная плоская длина: ± 8,00 1,70 мм
Высокий свет:

4h sic wafer

,

sic wafer

На-ось или тип материал 4дег.Офф 4Х н вафли Сик, ранг продукции, 10мм кс 10мм

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

Полытыпе Одиночное Кристл 4Х Одиночное Кристл 6Х
Параметры решетки а=3.076 Å а=3.073 Å
  к=10.053 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Диапазон-зазор еВ 3,26 еВ 3,03
Плотность 3,21 · 103 кг/м3 3,21 · 103 кг/м3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс рефракции отсутствие = 2,719 отсутствие = 2,707
  не = 2,777 не = 2,755
Диэлектрическая константа 9,6 9,66
Термальная проводимость 490 В/мК 490 В/мК
Поле нервного расстройства электрическое 2-4 · 108 В/м 2-4 · 108 В/м
Дрейфовая скорость сатурации 2,0 · 105 м/с 2,0 · 105 м/с
Подвижность электрона 800 км2/В·С 400 км2/В·С
дырочная подвижность 115 км2/В·С 90 км2/В·С
Твердость Мохс ~9 ~9

 

 

тип вафля 4Х н СиК, ранг продукции, 10мм кс 10мм

 

СВОЙСТВО СУБСТРАТА С4Х-51-Н-ПВАМ-330 С4Х-51-Н-ПВАМ-430
Описание Субстрат ранга 4Х СиК продукции
Полытыпе
Диаметр (50,8 ± 0,38) мм
Толщина (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25)
Тип несущей н типа
Допант Азот
Резистивность (RT) 0,012 до 0,0028 Ω·см
Шероховатость поверхности < 0="">
ФВХМ <30 arcsec="">
Плотность Микропипе А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2
Поверхностная ориентация  
На оси <0001>± 0.5°
С оси 4°ор 8° к <11-20>± 0.5°
Основная плоская ориентация ± 5° параллели {1-100}
Основная плоская длина ± 16,00 1,70) мм
Вторичная плоская ориентация Си-сторона: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского
К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского
Вторичная плоская длина ± 8,00 1,70 мм
Поверхностный финиш Одиночная или двойная отполированная сторона
Упаковка Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли
Годная к употреблению область ≥ 90%
Исключение края 1 мм
     

 

Свойства СиК одиночного кристалла

Здесь мы сравниваем свойство кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, КубикСиК, одиночный кристалл СиК.

Свойство   кремниевого карбида (СиК)

Сравнение свойства кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, кубический СиК, одиночный кристалл СиК:

Свойство Значение Условия
Плотность 3217 кг/м^3 шестиугольный
Плотность 3210 кг/м^3 кубический
Плотность 3200 кг/м^3 Одиночный кристалл
Твердость, Кнооп (КХ) 2960 кг/мм/мм 100г, керамическое, чернота
Твердость, Кнооп (КХ) 2745 кг/мм/мм 100г, керамическое, зеленый цвет
Твердость, Кнооп (КХ) 2480 кг/мм/мм Одиночный кристалл.
Йоунг модуль 700 ГПа Одиночный кристалл.
Йоунг модуль 410,47 ГПа Керамический, денситы=3120 кг/м/м/м, на комнатной температуре
Йоунг модуль 401,38 ГПа Керамический, денситы=3128 кг/м/м/м, на комнатной температуре
Термальная проводимость 350 В/м/К Одиночный кристалл.
Прочность выхода 21 ГПа Одиночный кристалл.
Теплоемкость 1,46 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1550.
Теплоемкость 1,38 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1350.
Теплоемкость 1,34 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1200.
Теплоемкость 1,25 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1000.
Теплоемкость 1,13 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=700.
Теплоемкость 1,09 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=540.
Электрическая резистивность 1. 1е+10 Ω*м Керамический, на темп=20 к
Удельная работа разрыва 0,5655. 1,3793 ГПа Керамический, на темп=25 к
Модуль повреждения 0,2897 ГПа Керамический, с 1 ВТ % б вызывающий привыкание
Модуль повреждения 0,1862 ГПа Серамифк, на комнатной температуре
Коэффициент Поиссон 0,183. 0,192 Керамический, на комнатной температуре, денситы=3128 кг/м/м/м
Модуль повреждения 0,1724 ГПа Керамический, на темп=1300 к
Модуль повреждения 0,1034 ГПа Керамический, на темп=1800 к
Модуль повреждения 0,07586 ГПа Керамический, на темп=1400 к
Прочность на растяжение 0,03448. 0,1379 ГПа Керамический, на темп=25 к

 

* ссылка: Руководство науки и инженерства материалов КРК

Сравнение свойства одиночного кристалла СиК, 6Х и 4Х:

Свойство Одиночное Кристл 4Х Одиночное Кристл 6Х
Параметры решетки а=3.076 Å а=3.073 Å
к=10.053 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Диапазон-зазор еВ 3,26 еВ 3,03
Плотность 3,21 · 103 кг/м3 3,21 · 103 кг/м3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс рефракции отсутствие = 2,719 отсутствие = 2,707
не = 2,777 не = 2,755
Диэлектрическая константа 9,6 9,66
Термальная проводимость 490 В/мК 490 В/мК
Поле нервного расстройства электрическое 2-4 · 108 В/м 2-4 · 108 В/м
Дрейфовая скорость сатурации 2,0 · 105 м/с 2,0 · 105 м/с
Подвижность электрона 800 км2/В·С 400 км2/В·С
дырочная подвижность 115 км2/В·С 90 км2/В·С
Твердость Мохс ~9 ~9

 

* ссылка: КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд.

Сравнение свойства 3К-СиК, 4Х-СиК и 6Х-СиК:

Си-К Полытыпе 3К-СиК 4Х-СиК 6Х-СиК
Кристаллическая структура Сфалерит цинка (кубический) Вуртцит (шестиугольный) Вуртцит (шестиугольный)
Группа в составе симметрия Т2д-Ф43м К46в-П63мк К46в-П63мк
Модуль основной массы 2,5 кс 1012 см-2 дын 2,2 кс 1012 см-2 дын 2,2 кс 1012 см-2 дын
Линейный коэффициент теплового расширения 2,77 (42) кс 10-6 К-1    
Температура Дебе К 1200 К 1300 К 1200
Точка плавления 3103 (40) к 3103 ± 40 к 3103 ± 40 к
Плотность 3,166 г км-3 3,21 г км-3 3,211 г км-3
Твердость 9.2-9.3 9.2-9.3 9.2-9.3
Поверхностный микрохарднесс 2900-3100 кг мм-2 2900-3100 кг мм-2 2900-3100 кг мм-2
Диэлектрическая константа (статическая) ε0 ~= 9,72 Значение диэлектрической константы 6Х-СиК обычно использовано ε0, ~= 9,66 орт
Ультракрасный Р.И. ~=2.55 ~=2.55 (ось к) ~=2.55 (ось к)
Р.И. н (λ) ~= 2,55378 + 3,417 кс 104 н (λ)·λ-2 (λ) ~= н0 2,5610 + 3,4 кс 104·λ-2 (λ) ~= н0 2,55531 + 3,34 кс 104·λ-2
~= 2,6041 + 3,75 кс 104 не (λ)·λ-2 ~= 2,5852 + 3,68 кс 104 не (λ)·λ-2
Радиационный коэффициент рекомбинации   1,5 кс 10-12 км3/с 1,5 кс 10-12 км3/с
Оптически энергия фотона меВ 102,8 меВ 104,2 меВ 104,2
Масса эффективного электрона (продольный) мл 0.68мо 0.677(15) мо 0.29мо
Масса эффективного электрона (поперечный) мт 0.25мо 0.247(11) мо 0.42мо
Эффективная масса плотности мкд государств 0.72мо 0.77мо 2.34мо
Эффективная масса плотности государств в одной долине зоны проводимости мк 0.35мо 0.37мо 0.71мо
Эффективная масса проводимости мкк 0.32мо 0.36мо 0.57мо
Эффективная масса залы плотности государства мв? 0,6 мо ~1,0 мо ~1,0 мо
Константа решетки а=4.3596 а а = 3,0730 а а = 3,0730 а
б = 10,053 б = 10,053

* ссылка: ИОФФЭ

Ссылка изготовителя СиК 4Х и СиК 6Х: ПАМ-СИАМЭН разработчик мира ведущий полупроводниковой технологии освещения, он предлагает полную линейку: Вафля Синьлге кристаллическая СиК и эпитаксиальная вафля и вафля СиК реклайм

 

Пробой электрическим разрядом

Пробой электрическим разрядом термине или электрическое нервное расстройство имеют несколько подобных но отчетливо различных смыслов. Например, термина может примениться к отказу электрического контура. Альтернативно, она может сослаться на быстрое уменьшение в сопротивлении электрического изолятора которого может привести к аспарк скакать вокруг или через изолятор. Это может быть мгновенным событием (как в электростатической разрядке), или может привести к разрядке континуоусарк если защитные приспособления не сумеют прервать течение в цепи наивысшей мощности.

В настоящее время много интереса в своей пользе как материал полупроводника в электронике, где свои высокая термальная проводимость, пробивная напряженность сильного электрического поля и высокая максимальная концентрация тока делают его более многообещающим чем кремний для мощных приборов

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.