Главная страница ПродукцияВафля кремниевого карбида

Семи изолируя ранг 10ммкс10мм субстрата 6Х кремниевого карбида СиК фиктивная

Семи изолируя ранг 10ммкс10мм субстрата 6Х кремниевого карбида СиК фиктивная

Semi Insulating SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
имя: Семи изолируя вафля СиК Класс: Фиктивная ранг
Описание: СЭМИ субстрат 6Х Размер: 10mm x 10mm
Ключевые слова: вафля кремниевого карбида СиК одиночного кристалла Применение: электронно-оптическая индустрия
Высокий свет:

4h sic wafer

,

sic wafer

6Х Полу-изолируя субстрат СиК, фиктивную ранг, 10мм кс 10мм
 

Выращивание кристаллов СиК

Оптовое выращивание кристаллов метод для изготовления одиночных кристаллических субстратов, делая основание для более дополнительной обработки прибора. Для того чтобы иметь прорыв в технологии СиК очевидно нам нужно продукция субстрата СиК с возпроизводимым просесс.6Х- и кристаллы 4Х- СиК растутся в графитовых тиглях в условиях высоких температур до 2100-2500°К. рабочая температура в тигле обеспечена или индуктивным (РФ) или сопротивляющимся топлением. Рост происходит на тонких семенах СиК. Источник представляет поликристаллическую обязанность порошка СиК. Пар СиК в камере роста главным образом состоит из 3 видов, намелы, Си, Си2К, и СиК2, которые разбавлены газом несущей, например, аргон. Развитие источника СиК включает и временную вариацию пористости и диаметра зерна и награфитивание зерен порошка.

 

Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации
СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

ПолытыпеОдиночное Кристл 4ХОдиночное Кристл 6Х
Параметры решеткиа=3.076 Åа=3.073 Å
 к=10.053 Åк=15.117 Å
Штабелировать последовательностьАБКБАБКАКБ
Диапазон-зазореВ 3,26еВ 3,03
Плотность3,21 · 103 кг/м33,21 · 103 кг/м3
Тхэрм. Коэффициент расширения4-5×10-6/К4-5×10-6/К
Индекс рефракцииотсутствие = 2,719отсутствие = 2,707
 не = 2,777не = 2,755
Диэлектрическая константа9,69,66
Термальная проводимость490 В/мК490 В/мК
Поле нервного расстройства электрическое2-4 · 108 В/м2-4 · 108 В/м
Дрейфовая скорость сатурации2,0 · 105 м/с2,0 · 105 м/с
Подвижность электрона800 км2/В·С400 км2/В·С
дырочная подвижность115 км2/В·С90 км2/В·С
Твердость Мохс~9~9

 

ПАМ-СИАМЭН обеспечивает высококачественную вафлю СиК одиночного кристалла (кремниевого карбида) для электронной и электронно-оптической индустрии. Вафля СиК электрические свойства материалвитх полупроводника следующего поколени уникальные и превосходные термальные свойства для применения прибора высокой температуры и наивысшей мощности. Вафлю СиК можно поставить в диаметре 2~6 дюймов, и 4Х и 6Х СиК, Н типа, данный допинг азот, и полу-изолируя тип доступный.
 

6Х Полу-изолируя субстрат СиК, фиктивную ранг, 10мм кс 10мм

СВОЙСТВО СУБСТРАТАС6Х-51-СИ-ПВАМ-250 С6Х-51-СИ-ПВАМ-330 С6Х-51-СИ-ПВАМ-430
ОписаниеФиктивный ранга 6ХсубстратСЭМИ
Полытыпе
Диаметр(50,8 ± 0,38) мм
Толщина(250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25)
Резистивность (RT)>1Э5 Ω·см
Шероховатость поверхности< 0="">
ФВХМ<50 arcsec="">
Плотность МикропипеА+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2
Поверхностная ориентация
На ± <0001>0.5° оси
С оси 3.5° к <11-20>± 0.5°
Основная плоская ориентацияПройдите ± прошед параллельно параллельно 5° {1-100}
Основная плоская длина± 16,00 1,70 мм
Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского
К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского
Вторичная плоская длина± 8,00 1,70 мм
Поверхностный финишОдиночная или двойная отполированная сторона
УпаковкаОдиночная коробка вафли или мулти коробка вафли
Годная к употреблению область≥ 90%
Исключение края1 мм

 
 

Изоляторы СиК: Термальные окиси и технология МОС

 

Подавляющее большинство полупроводник-интегрированных обломоков цепи в пользе сегодня полагается на метал-оксиде- кремния

транзисторы пол-влияния полупроводника (МОСФЭЦ), рабочий которых электронные преимущества и

физика прибора суммирована в главе Кацумата и в другом месте. Данный крайность

польза и успех заворота направляют МОСФЭТ основанную на электронику в кремнии ВЛСИ (так же, как

дискретные приборы силы кремния), естественно желаемо снабдить высокопроизводительный заворот

МОСФЭЦ канала в СиК. Как кремний, СиК формирует восходящий поток теплого воздуха Семи изолируя ранг 10ммкс10мм субстрата 6Х кремниевого карбида СиК фиктивная когда он достаточно нагрет в

окружающая среда кислорода. Пока это позволяет технология МОС СиК несколько следовать сильно успешным

путь технологии МОС кремния, там однако важные разницы в качестве изолятора и

обработка прибора которое в настоящее время предотвращает МОСФЭЦ СиК от осуществлять их полное полезное

потенциал. Пока следующая речь пытается быстро выделить ключевые вопросы смотря на МОСФЭТ СиК

развитие, более детальные проницательности можно найти с ссылками 133-142.
 
О нас
 
Ответственность обеспечение качества, и качество жизнь корпорации. Мы смотрим вперед к долгосрочному сотрудничеству с клиентами, мы сделаем самое лучшее обслуживание и обслуживаний после продажи для всего из наших клиентов. Если вы имеете любое дознание, то пожалуйста не смутитесь связаться мы. Мы ответим вы на в первый раз по мере того как мы можем.
 
После лет развития, мы устанавливали идеальную сеть продаж и интегрированную систему обслуживания после-продажи на отечественном и за рубежом, которое позволяет компания обеспечить своевременные, точные и эффективные обслуживания, и выигрывали хорошие репутации клиента. Продукты проданы повсюду в Китае и экспортированы до больше чем 30 страны и регионов как Европа, Америка, Юго-Восточная Азия, Южная Америка, Ближний Восток и Африка. Продукция, объемов продажи и масштаб все выстроили в ряд сперва в такой же индустрии.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.