Главная страница ПродукцияВафля кремниевого карбида

Кремниевая пластина 4 дюймов Семи изолируя ранг исследования субстрата кремния

Кремниевая пластина 4 дюймов Семи изолируя ранг исследования субстрата кремния

4 Inch Silicon Wafer Semi Insulating Silicon Substrate Research Grade

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
имя: Семи изолируя вафля кремниевого карбида Класс: Ранг исследования
Описание: СЭМИ субстрат 4Х Размер: 10mm x 10mm
Ключевые слова: вафля СиК одиночного кристалла Применение: Электронная промышленность
Основная плоская длина: ± 16,00 1,70 мм Вторичная плоская длина: ± 8,00 1,70 мм
Высокий свет:

semi standard wafer

,

sic wafer

Полу-изолируя субстрат кремния 4Х, ранг исследования, 10мм кс 10мм

 

Пожалуйста свяжитесь мы для больше информации

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ

Полытыпе Одиночное Кристл 4Х Одиночное Кристл 6Х
Параметры решетки а=3.076 Å а=3.073 Å
  к=10.053 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Диапазон-зазор еВ 3,26 еВ 3,03
Плотность 3,21 · 103 кг/м3 3,21 · 103 кг/м3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс рефракции отсутствие = 2,719 отсутствие = 2,707
  не = 2,777 не = 2,755
Диэлектрическая константа 9,6 9,66
Термальная проводимость 490 В/мК 490 В/мК
Поле нервного расстройства электрическое 2-4 · 108 В/м 2-4 · 108 В/м
Дрейфовая скорость сатурации 2,0 · 105 м/с 2,0 · 105 м/с
Подвижность электрона 800 км2/В·С 400 км2/В·С
дырочная подвижность 115 км2/В·С 90 км2/В·С
Твердость Мохс ~9 ~9

 

Полу-изолируя субстрат кремния 4Х, ранг исследования, 10мм кс 10мм

СВОЙСТВО СУБСТРАТА С4Х-51-СИ-ПВАМ-250 С4Х-51-СИ-ПВАМ-330 С4Х-51-СИ-ПВАМ-430
Описание Исследования ранга 4ХсубстратСЭМИ
Полытыпе
Диаметр (50,8 ± 0,38) мм
Толщина (250 ± 25) μм μм μм (330 ± 25) (430 ± 25)
Резистивность (RT) >1Э5 Ω·см
Шероховатость поверхности < 0="">
ФВХМ <50 arcsec="">
Плотность Микропипе А+≤1км-2 А≤10км-2 Б≤30км-2 К≤50км-2 Д≤100км-2
Поверхностная ориентация
На ± <0001>0.5° оси
С оси 3.5° к <11-20>± 0.5°
Основная плоская ориентация Пройдите ± прошед параллельно параллельно 5° {1-100}
Основная плоская длина ± 16,00 1,70 мм
Вторичная плоская Си-сторона ориентации: 90° кв. от ± 5° ориентации плоского
К-сторона: ккв 90°. от ± 5° ориентации плоского
Вторичная плоская длина ± 8,00 1,70 мм
Поверхностный финиш Одиночная или двойная отполированная сторона
Упаковка Одиночная коробка вафли или мулти коробка вафли
Годная к употреблению область ≥ 90%
Исключение края 1 мм

 

Свойства СиК одиночного кристалла

Здесь мы сравниваем свойство кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, КубикСиК, одиночный кристалл СиК.

Свойство   кремниевого карбида (СиК)

Сравнение свойства кремниевого карбида, включая шестиугольный СиК, кубический СиК, одиночный кристалл СиК:

 

Свойство Значение Условия
Плотность 3217 кг/м^3 шестиугольный
Плотность 3210 кг/м^3 кубический
Плотность 3200 кг/м^3 Одиночный кристалл
Твердость, Кнооп (КХ) 2960 кг/мм/мм 100г, керамическое, чернота
Твердость, Кнооп (КХ) 2745 кг/мм/мм 100г, керамическое, зеленый цвет
Твердость, Кнооп (КХ) 2480 кг/мм/мм Одиночный кристалл.
Йоунг модуль 700 ГПа Одиночный кристалл.
Йоунг модуль 410,47 ГПа Керамический, денситы=3120 кг/м/м/м, на комнатной температуре
Йоунг модуль 401,38 ГПа Керамический, денситы=3128 кг/м/м/м, на комнатной температуре
Термальная проводимость 350 В/м/К Одиночный кристалл.
Прочность выхода 21 ГПа Одиночный кристалл.
Теплоемкость 1,46 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1550.
Теплоемкость 1,38 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1350.
Теплоемкость 1,34 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1200.
Теплоемкость 1,25 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=1000.
Теплоемкость 1,13 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=700.
Теплоемкость 1,09 Дж/мол/К Керамический, на К. темп=540.
Электрическая резистивность 1. 1е+10 Ω*м Керамический, на темп=20 к
Удельная работа разрыва 0,5655. 1,3793 ГПа Керамический, на темп=25 к
Модуль повреждения 0,2897 ГПа Керамический, с 1 ВТ % б вызывающий привыкание
Модуль повреждения 0,1862 ГПа Серамифк, на комнатной температуре
Коэффициент Поиссон 0,183. 0,192 Керамический, на комнатной температуре, денситы=3128 кг/м/м/м
Модуль повреждения 0,1724 ГПа Керамический, на темп=1300 к
Модуль повреждения 0,1034 ГПа Керамический, на темп=1800 к
Модуль повреждения 0,07586 ГПа Керамический, на темп=1400 к
Прочность на растяжение 0,03448. 0,1379 ГПа Керамический, на темп=25 к

 

* ссылка: Руководство науки и инженерства материалов КРК

Сравнение свойства одиночного кристалла СиК, 6Х и 4Х:

Свойство Одиночное Кристл 4Х Одиночное Кристл 6Х
Параметры решетки а=3.076 Å а=3.073 Å
к=10.053 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательность АБКБ АБКАКБ
Диапазон-зазор еВ 3,26 еВ 3,03
Плотность 3,21 · 103 кг/м3 3,21 · 103 кг/м3
Тхэрм. Коэффициент расширения 4-5×10-6/К 4-5×10-6/К
Индекс рефракции отсутствие = 2,719 отсутствие = 2,707
не = 2,777 не = 2,755
Диэлектрическая константа 9,6 9,66
Термальная проводимость 490 В/мК 490 В/мК
Поле нервного расстройства электрическое 2-4 · 108 В/м 2-4 · 108 В/м
Дрейфовая скорость сатурации 2,0 · 105 м/с 2,0 · 105 м/с
Подвижность электрона 800 км2/В·С 400 км2/В·С
дырочная подвижность 115 км2/В·С 90 км2/В·С
Твердость Мохс ~9 ~9

 

* ссылка: КО. предварительного материала Сямен Повервай, Лтд.

Сравнение свойства 3К-СиК, 4Х-СиК и 6Х-СиК:

Си-К Полытыпе 3К-СиК 4Х-СиК 6Х-СиК
Кристаллическая структура Сфалерит цинка (кубический) Вуртцит (шестиугольный) Вуртцит (шестиугольный)
Группа в составе симметрия Т2д-Ф43м К46в-П63мк К46в-П63мк
Модуль основной массы 2,5 кс 1012 см-2 дын 2,2 кс 1012 см-2 дын 2,2 кс 1012 см-2 дын
Линейный коэффициент теплового расширения 2,77 (42) кс 10-6 К-1    
Температура Дебе К 1200 К 1300 К 1200
Точка плавления 3103 (40) к 3103 ± 40 к 3103 ± 40 к
Плотность 3,166 г км-3 3,21 г км-3 3,211 г км-3
Твердость 9.2-9.3 9.2-9.3 9.2-9.3
Поверхностный микрохарднесс 2900-3100 кг мм-2 2900-3100 кг мм-2 2900-3100 кг мм-2
Диэлектрическая константа (статическая) ε0 ~= 9,72 Значение диэлектрической константы 6Х-СиК обычно использовано ε0, ~= 9,66 орт
Ультракрасный Р.И. ~=2.55 ~=2.55 (ось к) ~=2.55 (ось к)
Р.И. н (λ) ~= 2,55378 + 3,417 кс 104 н (λ)·λ-2 (λ) ~= н0 2,5610 + 3,4 кс 104·λ-2 (λ) ~= н0 2,55531 + 3,34 кс 104·λ-2
~= 2,6041 + 3,75 кс 104 не (λ)·λ-2 ~= 2,5852 + 3,68 кс 104 не (λ)·λ-2
Радиационный коэффициент рекомбинации   1,5 кс 10-12 км3/с 1,5 кс 10-12 км3/с
Оптически энергия фотона меВ 102,8 меВ 104,2 меВ 104,2
Масса эффективного электрона (продольный) мл 0.68мо 0.677(15) мо 0.29мо
Масса эффективного электрона (поперечный) мт 0.25мо 0.247(11) мо 0.42мо
Эффективная масса плотности мкд государств 0.72мо 0.77мо 2.34мо
Эффективная масса плотности государств в одной долине зоны проводимости мк 0.35мо 0.37мо 0.71мо
Эффективная масса проводимости мкк 0.32мо 0.36мо 0.57мо
Эффективная масса залы плотности государства мв? 0,6 мо ~1,0 мо ~1,0 мо
Константа решетки а=4.3596 а а = 3,0730 а а = 3,0730 а
б = 10,053 б = 10,053

 

 

Свойства СиК материальные


Материалы КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА (СиК) в настоящее время подвергаются метаморфозе от научных исследований и разработки в продукт управляемый рынком изготовляя. Субстраты СиК в настоящее время использованы как основание для большой части мирового производства зеленых, голубых, и ультрафиолетов светоизлучающих диодов (LEDs). Появляющийся рынок для СиК хомоепитаксы включают высокомощные приборы переключения и приборы микроволны для диапазона с и кс. Применения для хэтероепитаксял основанных на ГаН структур на субстратах СиК включают СИД и приборы микроволны. Эти ексситинг результаты прибора происходят главным образом от эксплуатирования уникальных электрических и термофизических свойств предложенных СиК сравненным к Си и ГаАс. Среди этих являются следующими: большое бандгап для высокотемпературного сопротивления деятельности и радиации; высокое критическое поле нервного расстройства для высокомощного выхода; насыщенная максимумом скорость электрона для высокочастотной деятельности; значительно более высоко термальная проводимость для термального управления высокомощных приборов.

 

О нас

 

Ответственность обеспечение качества, и качество жизнь корпорации. Мы смотрим вперед к долгосрочному сотрудничеству с клиентами, мы сделаем самое лучшее обслуживание и обслуживаний после продажи для всего из наших клиентов. Если вы имеете любое дознание, то пожалуйста не смутитесь связаться мы. Мы ответим вы на в первый раз по мере того как мы можем.

 

После лет развития, мы устанавливали идеальную сеть продаж и интегрированную систему обслуживания после-продажи на отечественном и за рубежом, которое позволяет компания обеспечить своевременные, точные и эффективные обслуживания, и выигрывали хорошие репутации клиента. Продукты проданы повсюду в Китае и экспортированы до больше чем 30 страны и регионов как Европа, Америка, Юго-Восточная Азия, Южная Америка, Ближний Восток и Африка. Продукция, объемов продажи и масштаб все выстроили в ряд сперва в такой же индустрии.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.