Главная страница ПродукцияВафля нитрида галлия

Си дал допинг субстратам сапфира вафли нитрида галлия для транзистора 10*10мм2 ГаН

Си дал допинг субстратам сапфира вафли нитрида галлия для транзистора 10*10мм2 ГаН

Si Doped Gallium Nitride Wafer Sapphire Substrates For GaN Transistor 10*10mm2

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Деталь: ПАМ-Т-ГаН-10-Н Название продукта: СИ-данные допинг 10*10мм2 субстраты ГаН/сапфира
Тип кондукции: Н типа Размерности: 10С10 мм
Толщина: μм 5 ±1 Другое имя: ган вафля
Высокий свет:

gallium nitride gan

,

gan wafer

10*10мм2 Си-дало допинг ГаН/субстратам сапфира для транзистора ГаН

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

СИ-данные допинг 10*10мм2 субстраты ГаН/сапфира

Деталь ПАМ-Т-ГаН-10-Н
Размер 10С10 мм
Толщина μм 5 ±1
Ориентация ГаН Самолет к (0001) с угла к -оси 0,2 ±0.1°
Квартира ориентации ГаН (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Тип кондукции Н типа
Резистивность (300К) < 0="">
Концентрация несущей >1кс1018км-3 (≈допинг концентрация)
Подвижность | 200км2/в·с
Плотность дислокации > 5кс108км-2 (оцененное ФВХМс СРД)
Структура 5 ±1 μм ГаН/~ 50 сапфир μм буфера лаер/430 ±25 уГаН нм
Ориентация сапфира Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,2 ±0.1°
Квартира ориентации сапфира (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Шероховатость поверхности: Лицевая сторона: Сторона<0> Ра задняя: вытравленный или отполированный.
Годная к употреблению область > 90% (исключение дефектов края и макроса)
Пакет каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Си-данные допинг 10*10мм2 субстраты ГаН/сапфира

Отчет о ФВХМ и СРД

 

Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.

 

О нас

 

Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН состоят из кристаллических слоев нитрида алюминия нитрида галлия (ГаН), (АлН), алюминиевого нитрида галлия (АлГаН) и нитрида галлия индия (ИнГаН), который депозирован на субстратах сапфира. Продукты шаблона ПАМ-СИАМЭН включают 20-50% более коротких времен цикла эпитаксии и более высококачественных эпитаксиальных слои прибора, с лучшим структурным качеством и более высокой термальной проводимостью, которое могут улучшить приборы в цене, выходе, и представлении.

 

ПАМ-СИАМЭН'сГаН на шаблонах сапфира доступен в диаметрах от 2" до 6", и состоит из тонкого слоя кристаллического ГаН, который выросли на субстрате сапфира. Эпи-готовые шаблоны теперь доступные.

 

Ниже пример ФВХМ и СРД шаблона АлН:

Си дал допинг субстратам сапфира вафли нитрида галлия для транзистора 10*10мм2 ГаН

ФВХМ и СРД шаблона АлН

Си дал допинг субстратам сапфира вафли нитрида галлия для транзистора 10*10мм2 ГаН

 

ФВХМ и СРД шаблона АлН

 

На диаграмму 2 показано сравнение типичных картин СРД 0002) фильмов ГаН, который (выросли на различных субстратах. Ее можно увидеть что изменение в значении ФВХМ (0002) дифракционных максимумов, и интенсивности дифракционного максимума ГаН на различных субстратах были получены в пределах 34,5 градусов. Интенсивность ГаН (0002) в образце а самые сильные среди всех образцов, которые показывают что фильмы ГаН на шаблоне ГаН/сапфира сильно к ориентированы на и имеют лучшее кристаллическое качество. ФВХМ ГаН (0002) оценивает для образцов а, б, к, и д было измерено на 0.19◦, 0.51◦, 0.79◦, и 1.09◦, соответственно. Однако, интенсивность СРД пиковая увеличивает по мере того как ФВХМ уменьшает; это приписано к росту размера кристаллита должного к или комплексированию небольших зерен или движению границы между зернами во время процесса роста. В виду того что ФВХМ дифракционного максимума СРД по отношению к среднему размеру зерна кристаллита в фильме [26], размер зерна ГаН, который выросли на различных субстратах высчитан используя уравнение Дебе-Шерер [27]: Д = 0.9λ/ФВХМкосθ (1) где д размер кристаллита, λ длина волны рентгеновского снимка, и θ угол дифракции. Оценены, что будут размеры кристаллита образцов а, б, к, и д 57, 20, 13, и 9 нм, соответственно. Эти результаты показывают что кристаллическое качество фильмов ГаН, который выросли на образцах а и б лучшее чем это из фильмов, который выросли на образцах к и Д. Аппл. Сси. 2017, 7, 87 3 9 ГаН/шаблонов сапфира сильно ориентированное ‐ к и имеют лучшее кристаллическое качество. ФВХМ ГаН (0002) оценивает для образцов а, б, к, и д было измерено на 0.19°, 0.51°, 0.79°, и 1.09°, соответственно. Однако, интенсивность СРД пиковая увеличивает по мере того как ФВХМ уменьшает; это приписано к росту размера кристаллита должного к или комплексированию небольших зерен или движению границы между зернами во время процесса роста. В виду того что ФВХМ дифракционного максимума СРД по отношению к среднему размеру зерна кристаллита в фильме [26], размер зерна ГаН, который выросли на различных субстратах высчитан используя уравнение Шерер ‐ Дебе [27]: Д = 0.9λ/ФВХМкос θ (1) где д размер кристаллита, λ длина волны луча ‐ кс, и θ угол дифракции. Оценены, что будут размеры кристаллита образцов а, б, к, и д 57, 20, 13, и 9 нм, соответственно. Эти результаты показывают что диаграмма к

 

Си дал допинг субстратам сапфира вафли нитрида галлия для транзистора 10*10мм2 ГаН

2. Результаты измерений (XRD) дифракции рентгеновских лучей фильмов ГаН, который выросли на различных субстратах

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.