Главная страница ПродукцияВафля нитрида галлия

тип вафля н вафли нитрида галлия 10*10мм2 ГаН для приборов нитрида галлия

тип вафля н вафли нитрида галлия 10*10мм2 ГаН для приборов нитрида галлия

10*10mm2 GaN Gallium Nitride Wafer N Type Wafer For Gallium Nitride Devices

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Размерности: 10С10 мм Деталь: ПАМ-Т-ГаН-10-У
Название продукта: 10*10мм2 Ундопед субстраты ГаН/сапфира Тип кондукции: Н типа
Другое имя: ган вафля Толщина: μм 5 ±1
Годная к употреблению область: > 90% (исключение дефектов края и макроса) Квартира ориентации сапфира: (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Высокий свет:

gallium nitride gan

,

gan wafer

10*10мм2 Ундопед Эпиган на субстратах сапфира для приборов нитрида галлия

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

10*10мм2 Ундопед субстраты ГаН/сапфира

Деталь ПАМ-Т-ГаН-10-У
Размер 10С10 мм
Толщина μм 5 ±1
Ориентация ГаН Самолет к (0001) с угла к -оси 0,2 ±0.1°
Квартира ориентации ГаН (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Тип кондукции Н типа
Резистивность (300К) < 0="">
Концентрация несущей <5x10>17КМ-3
Подвижность | 300км2/в·с
Плотность дислокации < 5x10="">8км-2 (оцененное ФВХМс СРД)
Структура 5 ±1 μм ГаН/~ 50 сапфир μм буфера лаер/430 ±25 уГаН нм
Ориентация сапфира Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,2 ±0.1°
Квартира ориентации сапфира (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Шероховатость поверхности: Лицевая сторона: Сторона<0> Ра задняя: вытравленный или отполированный.
Годная к употреблению область > 90% (исключение дефектов края и макроса)
Пакет каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10*10мм2 Ундопед субстраты ГаН/сапфира

 

Проект испытания: Проект ФВХМ и СРД

Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.

 

Ниже пример ФВХМ и СРД шаблона АлН:

тип вафля н вафли нитрида галлия 10*10мм2 ГаН для приборов нитрида галлия

ФВХМ и СРД шаблона АлН

тип вафля н вафли нитрида галлия 10*10мм2 ГаН для приборов нитрида галлия

 

ФВХМ и СРД шаблона АлН

 

Здесь мы показываем эксперимент в качестве примера:

Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:

 

Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:

Все образцы фильма ГаН были депозированы на различных субстратах ПЛД на ◦К 1000 в атмосфере плазмы азота окружающей. Камера была нагнетена вниз к торр. 10−6 прежде чем процесс низложения начал, и газ Н2 (с очищенностью 99,999%) был введен. Давление деятельности как только плазма Н2 была впрыснута было торр. 1,13 × 10−4. Лазер екссимер КрФ (λ = 248 нм, Ламбда Фысик, Форт Лаудердале, ФЛ, США) был использован как источник удаления и управля с тарифом повторения 1 Хз и энергии в импульсе 60 мДж. Средние темпы роста фильма ГаН составляли около 1 µм/х. Лазерный луч был случаем по вращая цели под углом 45◦. Цель ГаН была изготовлена ХВПЭ и набором на фиксированном расстоянии 9 см от субстрата перед быть вращанным на 30 рпм во время низложения фильма. В этом случае, ~4 µм-толстых фильма ГаН вырослись на шаблоне ГаН/сапфира (попробуйте а), сапфире (образце б), Си (111) (образец к), и Си (100) (образец д). Для ГаН на образце а, слой 2-µм ГаН во первых был депозирован на субстрате сапфира МОКВД. Электронная микроскопия сканирования (СЭМ, С-3000Х, Хитачи, Токио, Япония), микрокопы электрона передачи (ТЭМ, Х-600, Хитачи, Токио, Япония), атомная микроскопия силы (АФМ, ДИ-3100, Веко, Нью-Йорк, НИ, США), дифракция рентгеновских лучей двух-Кристл (СРД, С'Перт ПРО МРД, ПАНалытикал, Альмело, Нидерланды), низкотемпературное фотолуминессенсе (ПЛ, Флоуромакс-3, Хориба, Токио, Япония), и спектроскопия Раман (Джобин Ивон, Хориба, Токио, Япония) были использованы для того чтобы исследовать микроструктуру и оптически свойства шаблонов ГаН депозированных на различных субстратах. Электрические свойства фильмов ГаН были определены измерением Ван дер Паув-Халл под жидким азотом охлаждая на 77 к

 

Заключение: льмс fi ГаН, который толстые выросла на шаблоне ГаН/сапфира, сапфире, Си (111), и Си (100) высокая температура ПЛД. Были изучены влияние субстрата на качестве роста ГаН кристаллическом, поверхностное словотолкование, поведение стресса, и свойство интерфейса, если вам нужна больше информации о продукте, то пожалуйста запрашивают нас.

 

Обслуживание

 

консультативная служба телефона 7С24-хоур доступна.

Ответ и решение будут обеспечены в 8 часах на запросе предоставления услуг покупателю.

После-продажи поддерживают доступны на основание 7С24-хоур, не выходя никакое беспокойство для клиентов.

 

Качественный осмотр от сырья к продукции, и доставка.

Профессиональный человек проверки качества, избежать неправомочных продуктов пропуская к клиенту.

Строгий осмотр к сырью, продукции, и доставке.

Полная серия оборудования в качественной лаборатории.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.