Главная страница ПродукцияВафля нитрида галлия

Мг дал допинг эпитаксиальной вафле 10*10мм2 нитрида галлия для усилителя силы ГаН

Мг дал допинг эпитаксиальной вафле 10*10мм2 нитрида галлия для усилителя силы ГаН

Mg Doped Epitaxial Gallium Nitride Wafer 10*10mm2 For GaN Power Amplifier

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Деталь: ПАМ-Т-ГаН-10-П Название продукта: Мг-данные допинг 10*10мм2 субстраты ГаН/сапфира
Тип кондукции: P-Тип Размерности: 10С10 мм
Толщина: μм 5 ±1 Другое имя: ган вафля
Высокий свет:

gallium nitride gan

,

gan wafer

Мг-данные допинг 10*10мм2 вафли ГаН эпитаксиальные на субстратах сапфира для усилителя силы ГаН

 

Отчет о ФВХМ и СРД

Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.

 

Проект испытания: Проект ФВХМ и СРД

Ширина полу-высоты полная (ФВХМ) выражение ряда функций, который дала разница между 2 экстремумами независимой переменной равной к половине своего максимума. Другими словами, ширина спектральной кривой измеренной между теми пунктами на И-оси, которая половина максимальной амплитуды.

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

Мг-данные допинг 10*10мм2 субстраты ГаН/сапфира

Деталь ПАМ-Т-ГаН-10-П
Размер 10С10мм
Толщина μм 5 ±1
Ориентация ГаН Самолет к (0001) с угла к -оси 0,2 ±0.1°
Квартира ориентации ГаН (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Тип кондукции П типа
Резистивность (300К) | 10 Ω·см
Концентрация несущей >6С1016КМ-3 (давая допинг консентратион≥10кс1020км-3
Подвижность | 10км2/в·с
Плотность дислокации < 5x10="">8км-2 (оцененное ФВХМс СРД)
Структура 2~2.5 буфер лаер/430±25μм уГаН пГаН уГаН/50нм μм μм пГаН/2~2.5
Ориентация сапфира Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,2 ±0.1°
Квартира ориентации сапфира (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 мм
Шероховатость поверхности: Лицевая сторона: Сторона<0> Ра задняя: вытравленный или отполированный.
Годная к употреблению область > 90% (исключение дефектов края и макроса)
Пакет каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ниже пример ФВХМ и СРД шаблона АлН:

Мг дал допинг эпитаксиальной вафле 10*10мм2 нитрида галлия для усилителя силы ГаН

ФВХМ и СРД шаблона АлН

Мг дал допинг эпитаксиальной вафле 10*10мм2 нитрида галлия для усилителя силы ГаН

 

ФВХМ и СРД шаблона АлН

Здесь мы показываем эксперимент в качестве примера:

Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:

 

Эксперимент на ГаН на сапфире: Электронно-оптические свойства и структурная характеризация плотных пленок ГаН на различных субстратах через низложение пульсированного лазера:

Все образцы фильма ГаН были депозированы на различных субстратах ПЛД на ◦К 1000 в атмосфере плазмы азота окружающей. Камера была нагнетена вниз к торр. 10−6 прежде чем процесс низложения начал, и газ Н2 (с очищенностью 99,999%) был введен. Давление деятельности как только плазма Н2 была впрыснута было торр. 1,13 × 10−4. Лазер екссимер КрФ (λ = 248 нм, Ламбда Фысик, Форт Лаудердале, ФЛ, США) был использован как источник удаления и управля с тарифом повторения 1 Хз и энергии в импульсе 60 мДж. Средние темпы роста фильма ГаН составляли около 1 µм/х. Лазерный луч был случаем по вращая цели под углом 45◦. Цель ГаН была изготовлена ХВПЭ и набором на фиксированном расстоянии 9 см от субстрата перед быть вращанным на 30 рпм во время низложения фильма. В этом случае, ~4 µм-толстых фильма ГаН вырослись на шаблоне ГаН/сапфира (попробуйте а), сапфире (образце б), Си (111) (образец к), и Си (100) (образец д). Для ГаН на образце а, слой 2-µм ГаН во первых был депозирован на субстрате сапфира МОКВД. Электронная микроскопия сканирования (СЭМ, С-3000Х, Хитачи, Токио, Япония), микрокопы электрона передачи (ТЭМ, Х-600, Хитачи, Токио, Япония), атомная микроскопия силы (АФМ, ДИ-3100, Веко, Нью-Йорк, НИ, США), дифракция рентгеновских лучей двух-Кристл (СРД, С'Перт ПРО МРД, ПАНалытикал, Альмело, Нидерланды), низкотемпературное фотолуминессенсе (ПЛ, Флоуромакс-3, Хориба, Токио, Япония), и спектроскопия Раман (Джобин Ивон, Хориба, Токио, Япония) были использованы для того чтобы исследовать микроструктуру и оптически свойства шаблонов ГаН депозированных на различных субстратах. Электрические свойства фильмов ГаН были определены измерением Ван дер Паув-Халл под жидким азотом охлаждая на 77 к

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.