Главная страница ПродукцияВафля нитрида галлия

Фрестандинг тип н субстрата нитрида галлия ГаН Семи изолируя для РФ

Фрестандинг тип н субстрата нитрида галлия ГаН Семи изолируя для РФ

Freestanding GaN Gallium Nitride Substrate N Type Semi Insulating For RF

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Ориентация: К-ось (0001) +/-0.5° Основное плоское положение: (1-100) +/-0.5°
Толщина: 330-450ум Вторичная плоская длина: 8+/-1мм
Основная плоская длина: 16+/-1мм Вторичное плоское положение: (11-20) +/-3°
Высокий свет:

gallium nitride gan

,

gan wafer

Фрестандинг субстрат ГаН, тип н, Полу-изолируя для Рф, приведенной силы, и Лд

 

Спецификация Фрестандинг субстрата ГаН

Здесь показывает детальную спецификацию:

субстрат ГаН 2 ″ (50.8мм) свободно стоящий (нитрид галлия)

Деталь ПАМ-ФС-ГаН50-Н ПАМ-ФС-ГаН50-СИ
Тип кондукции Н типа Полу-изолировать
Размер ″ 2 (50,8) +/-1мм
Толщина 330-450ум
Ориентация К-ось (0001) +/-0.5°
Основное плоское положение (1-100) +/-0.5°
Основная плоская длина 16+/-1мм
Вторичное плоское положение (11-20) +/-3°
Вторичная плоская длина 8+/-1мм
Резистивность (300К) <0> >106Ω·см
Плотность дислокации <5x106cm-2>
Плотность дефекта Марко Граде2км-2<>
ТТВ <>
СМЫЧОК <>
Поверхностный финиш Лицевая поверхность: Ра<0>
  Задняя поверхность: земля 1.Фине
гриндед 2.Роугх
Годная к употреблению область ≥ 90%

 

Фрестандинг тип н субстрата нитрида галлия ГаН Семи изолируя для РФ

субстрат ГаН 1,5 ″ (38.1мм) свободно стоящий

Деталь ПАМ-ФС-ГаН38-Н ПАМ-ФС-ГаН38-СИ
Тип кондукции Н типа Полу-изолировать
Размер ″ 1,5 (38,1) +/-0.5мм
Толщина 330-450ум
Ориентация К-ось (0001) +/-0.5о
Основное плоское положение (1-100) +/-0.5о
Основная плоская длина 12+/-1мм
Вторичное плоское положение (11-20) +/-3о
Вторичная плоская длина 6+/-1мм
Резистивность (300К) <0> >106Ω·см
Плотность дислокации <5x106cm-2>
Плотность дефекта Марко Граде2км-2<>
ТТВ <>
СМЫЧОК <>
Поверхностный финиш Лицевая поверхность: Ра<0>
 

Задняя поверхность: земля 1.Фине

гриндед 2.Роугх

   
Годная к употреблению область ≥ 90%

 

Фрестандинг тип н субстрата нитрида галлия ГаН Семи изолируя для РФ

15мм, 10мм, субстрат 5мм свободно стоящий ГаН

Деталь

ПАМ-ФС-ГаН15-Н

ПАМ-ФС-ГаН10-Н

ПАМ-ФС-ГаН5-Н

ПАМ-ФС-ГаН15-СИ

ПАМ-ФС-ГаН10-СИ

ПАМ-ФС-ГаН5-СИ

Тип кондукции Н типа Полу-изолировать
Размер 14.0мм*15мм 10.0мм*10.5мм 5.0*5.5мм
Толщина 330-450ум
Ориентация К-ось (0001) +/-0.5о
Основное плоское положение  
Основная плоская длина  
Вторичное плоское положение  
Вторичная плоская длина  
Резистивность (300К) <0> >106Ω·см
Плотность дислокации <5x106cm-2>
Плотность дефекта Марко 0км-2
ТТВ <>
СМЫЧОК <>
Поверхностный финиш Лицевая поверхность: Ра<0>
  Задняя поверхность: земля 1.Фине
    гриндед 2.Роугх
Годная к употреблению область ≥ 90%
       

 

Фрестандинг тип н субстрата нитрида галлия ГаН Семи изолируя для РФ Фрестандинг тип н субстрата нитрида галлия ГаН Семи изолируя для РФ

Применение субстрата ГаН

 

Полупроводниковое освещение: Приборы ГаН использованы как диоды ультра высокой яркости светоизлучающие (СИД), ТВ, автомобили, и общее освещение

 

Хранение ДВД: Голубые лазерные диоды

Прибор силы: Приборы ГаН использованы как различные компоненты в высокомощной и высокочастотной производительности электроники как клетчатые базовые станции, спутники, усилители силы, и инверторы/конвертеры для электротранспортов (EV) и гибридных электротранспортов (HEV). Чувствительность ГаН низкая к ионизирующему излучению (как другие нитриды группы ИИИ) делает им соответствующий материал для бортовых применений как массивы фотоэлемента для спутников и высокомощных, высокочастотных приборов для сообщения, погоды, и спутников наблюдения

Идеал для ре-роста ИИИ-нитридов

 

Беспроводные базовые станции: Транзисторы силы РФ

Беспроводной широкополосный доступ: высокочастотное ММИКс, РФ-цепи ММИКс

Датчики давления: МЭМС

 

Тепловые датчики: Пыро-электрические детекторы

Подготовлять силы: Интеграция смешанного сигнала ГаН/Си

Автомобильная электроника: Высокотемпературная электроника

Линии передачи энергии: Высоковольтная электроника

Датчики рамки: УЛЬТРАФИОЛЕТОВЫЕ детекторы

Фотоэлементы: Зазор диапазона ГаН широкий покрывает солнечный спектр от 0,65 еВ к еВ 3,4 (которое практически весь солнечный спектр), делая нитрид галлия индия

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

 

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.