Главная страница ПродукцияВафля нитрида галлия

Тип свободная стоящая электрическая проводимость н субстрата одиночного Кристл ГаН

Тип свободная стоящая электрическая проводимость н субстрата одиночного Кристл ГаН

Single Crystal GaN Substrate N Type Free Standing Electrical Conductivity

Подробная информация о продукте:

Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: PAM-XIAMEN

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1-10,000пкс
Цена: By Case
Упаковывая детали: Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночном контейнере, под атмосферой азо
Время доставки: 5-50 рабочих дней
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10 000 вафель/месяц
Контакт
Подробное описание продукта
Другое имя: ган вафля Название продукта: Фрестандинг субстрат ГаН
Размерности: 10 кс 10,5 мм2 Деталь: ПАМ-ФС-ГАН-50-У
Тип кондукции: Н типа Толщина: 350 ±25 µм µм 430±25
Резистивность (300К): < 0=""> ТТВ: µм ≤ 10
Высокий свет:

gallium nitride gan

,

gan wafer

субстрат 10*10мм2 У-ГаН свободно стоящий ГаН Одно-Кристл

 

субстрат 10*10мм2 У-ГаН Фрестандинг ГаН

 

Субстрат ГаН ПАМ-СИАМЭН (нитрида галлия) синлекрыстал субстрат с высококачественным, которое сделано с первоначальным методом ХВПЭ и технологическим прочессом вафли. Они высоко кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности. Субстраты ГаН использованы для много видов применений, для белого СИД и ЛД (фиолетовый, голубой и зеленый), Фуртерморе развитие развило для применений электронного устройства силы и частоты коротковолнового диапазона.

 

Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе, ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и инфраструктура кабельного телевидения в сети, участках воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность, малошумной диаграмме и высоких линеарностях.

 

Здесь показывает детальную спецификацию:

 

субстрат 10*10мм2 У-ГаН Фрестандинг ГаН

 

Деталь ПАМ-ФС-ГаН-50-У
Размер 10 кс 10,5 мм2
Толщина 350 ±25 µм µм 430±25
Ориентация Самолет к (0001) с угла к М-оси 0,35 ±0.15°
Тип кондукции Н типа
Резистивность (300К) < 0="">
ТТВ µм ≤ 10
СМЫЧОК -10 µм ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µм
Шероховатость поверхности:

Лицевая сторона: Ра<0>

Задняя сторона: Точная земля или отполированный.

Плотность дислокации От 1 кс 105 к 5кс 106 см-2 (высчитанных КЛ) *
Плотность дефекта макроса 0 см-2
Годная к употреблению область > 90% (исключение края)

 

Пакет

каждое в одиночном контейнере вафли, под атмосферой азота, упакованной в комнате класса 100 чистой

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОТЧЕТ О Материал-ТЕСТА кривых-ГаН СРД тряся

 

Отчет по испытанию необходим для того чтобы показать соответствие между изготовленным на заказ описанием и нашими окончательными данными по вафель. Мы испытаем чарасеризатион вафли оборудованием перед пересылкой, испытывая шероховатость поверхности атомным микроскопом силы, тип римской аппаратурой спектров, резистивность внеконтактным оборудованием для испытаний резистивности, плотность микропипе путем поляризовывая микроскоп, ориентацию рентгеновским снимком Ориентатор етк. если вафли соотвествуют, то, мы очистим и упаковать их в комнате 100 классов чистой, если вафли не соответствуют изготовленным на заказ спецификациям, то мы примем их.

 

Ниже пример кривых СРД тряся материала ГаН:

 

Тип свободная стоящая электрическая проводимость н субстрата одиночного Кристл ГаН

 

Кривые СРД тряся материала ГаН

 

О нас

 

Непрерывное улучшение, ища более высококачественный уровень. Наш сильно преданный торговый персонал никогда шид далеко от идти что дополнительная миля соотвествовать и превысить ожиданиям клиента. Мы не обрабатываем наших клиентов с такими же преданностью и преданностью, никакого дела размер их дела или индустрии.

 

Мы имеем чистую и аккуратную, широкую мастерскую и продукцию и группу разработчиков с богатым опытом, обеспечивающ сильную поддержку для ваших потребностей НИОКР и продукции! Весь из наших продуктов исполняют с международными стандартами качества и значительно оценены в разнообразие различных рынках по всему миру. Если вы заинтересованы в любом из наших продуктов или хотел были бы обсудить пользовательский порядок, то пожалуйста чувствуйте свободной связаться мы. Мы смотрим вперед к формировать успешные отношения дела с новыми клиентами по всему миру в ближайшее время.

Контактная информация
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.