Главная страница

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Профиль компании

 

Ограничиваемое КО. предварительного материала Сямен Повервай, (ПАМ-СИАМЭН) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника сложного полупроводника материального интегрируя, отростчатого развития и эпитаксии, специализирующ в исследовании и продукции вафель сложного полупроводника, там главное поле 2: Материал СиК&ГаН (вафля и эпитаксия СиК, вафля ГаН и вафля епи) и материал ИИИ-В (обслуживание субстрата и епи ИИИ-В: Вафля ИнП, вафля ГаСб, вафля ГаАс, вафля ИнАс и вафля ИнСб). Наши вафли широко использованы в освещении полупроводника СИД, беспроводном сообщении, солнечной энергии, ультракрасном приборе, лазере, детекторах и приборы силы полупроводника, включая приборы силы, высокотемпературные приборы и светоэлектрические приборы, в этом, вафля ГаН включая ГаН на Си, ГаН на СиК и ГаН на сапфире для мини/микро- СИД, производительности электроники и микроволны РФ.

 

Как ведущая профессиональная компания, мы совершены к постоянн улучшать качество существующих продуктов. ПАМ-СИАМЭН имеет сильную техническую команду НИОКР, составленную аспирантов, доктора, мастера, и имеет сильную прочность НИОКР. Технический костяк компании приниманнсяая за материальная подготовка и родственные дизайн и развитие оборудования для почти 30еарс, и имеет глубокое исследование на физическом, химикате и электрических свойствах материалов, материального процесса подготовки. Накопление много лет теоретического низложения и практического опыта научного и технологического персонала делает компанию иметь уникальные проницательности и уникальные преимущества в развитии уместных материалов и оборудования, пока обеспечивающ что схема дизайна эксплуатационных характеристик продукта и оборудования компании отвечает фактические технические и технологические потребностямы потребителей.

 

 

наша компания
  • История
  • Обслуживание
  • Наша команда

2009, ПАМ-СИАМЭН начинает технологию ГаН, интегрирует субстрат ГаН кристаллический, эпитаксию и прибор СИД РФ& Повер&. Было интеграцией НИОКР, дизайна, продукции и продаж материалов полупроводника, эпитаксии, приборов и модулей, и соединять всю цепь индустрии третьего поколения полупроводников включая материал ГаН и материал СиК,

инкубировать ВКСЭЛ, электронные устройства силы, приборы РФ сложного полупроводника, модуль лазера модулей лампы упаковывая упаковывая и другие международные самые современные технологии.

 

2007, обслуживание епи предложения ПАМ-СИАМЭН основанное на субстрате ИИИ-В (включая субстрат ГаАс, субстрат ГаСб, субстрат ИнСб, субстрат ИнАс и субстрат ИнП, субстрат ГаН, субстрат АлН), материале покрывает ГаИнСб, ИнАс, АлСб, ГаИнНасСб, ИнГаАс, АлГаАс, ИнГаАсП, АлИнГаАс, ГаАлАс, ИнГаАлП, АлГаИнП, ИнГаП, ИнГаН, АлГаН, применение включает силу &РФ, Фотоникс, СИД, фотоэлемент и электронику.

 

2004, ПАМ-СИАМЭН предлагает вафли СиК полупроводника с вафлей 6Х СиК и 4Х СиК в различных качественных рангах для изготовителей исследователя и индустрии. Мы начинали всю производственную линию с технологическим прочессом технологии выращивания кристаллов СиК и вафли СиК, размером от 2" до 6". Мы обеспечиваем изготовленную на заказ эпитаксию СиК тонкого фильма (кремниевого карбида) на субстратах 6Х или 4Х для развития приборов кремниевого карбида. Вафля епи СиК главным образом использована для диодов Шотткы, транзисторов пол-влияния металлоокисного полупроводника, влияния поля соединения.

От 2001, мы начинаем и производим материал германия включая вафлю германия которая для микроэлектроники, оптически применения и фотоэлемента.

 

От 1990, мы посвящаем для того чтобы исследовать и произвести кремниевую пластину и слиток КЗ, после десятилетия, мы начинаем кремниевую пластину ФЗ с >1000 ohm.cm. и теперь мы можем предложить размер вафли от 2" до 12" с основной рангом и испытать ранг.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
1 2 3 4
Информация о компании

Рынки

Северная Америка

Южная Америка

Западная Европа

Восточной Европе

Восточной Азии

Юго-Восточная Азия

Средний Восток

Африка

Океания

Во всем мире

Вид бизнеса

Производитель

Экспортер

Продавец

Бренды : Повервай

Количество сотрудников : 50~100

Годовой объем продаж : 10 Million-50 Million

Год основания : 1990

Экспорт ПК : 70% - 80%

Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.