Главные продукты
Вафля фосфида индия

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймов

Iron Doped Indium Phosphide Wafer Prime Grade 4 Inch Wafer
Вафля фосфида индия

Данная допинг утюгом ранг главного вафли фосфида индия вафля 4 дюймов

Больше
Вафля нитрида галлия

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

2 Inch GaN Gallium Nitride Substrates Freestanding High Frequency Devices Use
Вафля нитрида галлия

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Больше
Вафля кремниевого карбида

Семи изолируя ранг 10ммкс10мм субстрата 6Х кремниевого карбида СиК фиктивная

Semi Insulating SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm
Вафля кремниевого карбида

Семи изолируя ранг 10ммкс10мм субстрата 6Х кремниевого карбида СиК фиктивная

Больше

Вафля фосфида индия & Вафля нитрида галлия

Тип свободная стоящая электрическая проводимость н субстрата одиночного Кристл ГаН

Тип свободная стоящая электрическая проводимость н субстрата одиночного Кристл ГаН

Кремниевая пластина 4 дюймов Семи изолируя ранг исследования субстрата кремния

Кремниевая пластина 4 дюймов Семи изолируя ранг исследования субстрата кремния

Тип н механической ранга субстрата арсенида галлия 6 дюймов высокоомный

Тип н механической ранга субстрата арсенида галлия 6 дюймов высокоомный

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая

Тип ранг п ранга главного вафли ИнАс 4 дюймов Допант цинка механическая

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии

Основная вафля ИнСб ранга 3 дюйма Ундопед для ультракрасного типа н астрономии

Вафля антимонида галлия ГаСб полупроводника 2 толщина ранга 500±25ум теста дюйма

Вафля антимонида галлия ГаСб полупроводника 2 толщина ранга 500±25ум теста дюйма

Субстрат 3 Ге дюйма вафлей одиночным Кристл КЗ Ундопед отполированной Повервай

Субстрат 3 Ге дюйма вафлей одиночным Кристл КЗ Ундопед отполированной Повервай

Тип кремниевой пластины ФЗ н полупроводника технология эпитаксии выращивания кристаллов 3 дюймов

Тип кремниевой пластины ФЗ н полупроводника технология эпитаксии выращивания кристаллов 3 дюймов

Вафля крышки боросиликата стеклянная с ультра тонкой толщиной для АВГ оптического волокна

Вафля крышки боросиликата стеклянная с ультра тонкой толщиной для АВГ оптического волокна

Вафля КдЗнТе полупроводника для компонентов Опитикал транзисторов диодов

Вафля КдЗнТе полупроводника для компонентов Опитикал транзисторов диодов

ИнП Кристл ранг вафли 3 дюймов фиктивная Семи изолируя тип пользу СИ стекловолокна

ИнП Кристл ранг вафли 3 дюймов фиктивная Семи изолируя тип пользу СИ стекловолокна

Си печатает субстрат ГаН Фрестандинг для ИИИ требования ЛДс нитрида высокоскоростного

Си печатает субстрат ГаН Фрестандинг для ИИИ требования ЛДс нитрида высокоскоростного

Кто мы
Введение

Ограничиваемое КО. предварительного материала Сямен Повервай, (ПАМ-СИАМЭН) высокотехнологичное предприятие для выращивания кристаллов полупроводника сложного полупроводника материального интегрируя, ...

QC Констроль качества

От слитка, проконтролирован субстрат к эпитаксии, каждый процесс. Деятельность измерения (для вафель епи) включает измерение вафли осмотра и измерение вафли продукции. Для вафли осмотра, мы главным об...

Контакты

Адрес : #506Б, деловый центр Хенхуй, Но.77, дорога Лингкся Нан, высокотехнологичная зона, Хули, Сямен 361006, Китай

Факс : 86-592-5563272

Электронная почта : info@qualitymaterial.net

Осмотрите больше >>

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Вафля фосфида индия

Тип вафля п вафли фосфида индия 4 дюймов ИнП Эпи ранга теста готовая

Особая чистота вафли фосфида индия одиночного Кристл ранг главного 4 дюймов

Фе дал допинг вафле 4" ранга теста ИнП Семи изолируя оптически воспринимая применение

Вафля нитрида галлия

Субстраты ГаН большей части вафли нитрида галлия 2 дюймов для структуры ХЭМТ СИД

Польза 2 приборов субстратов нитрида галлия ГаН дюйма Фрестандинг высокочастотная

Вафли нитрида галлия 2 дюймов вафля Эпи оптовой у готовая для лазерного диода ГаН

Вафля кремниевого карбида

тип Арксек ФВХМ 6Х н выращивания кристаллов <50 к 0001 ранга вафли СиК фиктивные оптовый

На вафле кремниевого карбида Сик оси 4 Дег с 4Х н печатают ранг продукции

Исследуйте отполированный Кмп вафли вафли 6Х СиК кремниевого карбида ранга Семи стандартный

Отправить запрос

E-Mail | Ситемап

Privacy Policy Китай хороший качество Вафля фосфида индия поставщик. © 2020 indiumphosphidewafer.com. All Rights Reserved.